一篇题为“Si中成分依赖的电传输”的新技术论文1−x通用电气x“单片单元素铝接触纳米片”由维也纳理工大学、约翰内斯开普勒大学、CEA-LETI和瑞士联邦材料科学与技术实验室的研究人员发表。
找到这里是技术文件．2022年9月出版。
文摘:
“如果1−x通用电气x是现代互补金属氧化物半导体和双极器件的关键材料。然而，尽管在金属硅化物和锗化物复合材料体系方面做出了相当大的努力，但迄今为止，可靠性问题阻碍了金属硅的实现1−x通用电气x这些节点对于各种新兴的“超越摩尔”和量子计算范式至关重要。在这方面，研究了Al-Si的系统结构和电子性能1−x通用电气x从超薄硅之间的热诱导交换获得的异质结构1−x通用电气x报道了纳米片和铝层。值得注意的是，在交换过程中没有发现金属间相。相反，可以获得高结构质量的突兀、平坦和无空隙的连接。有趣的是，在金属和Si之间形成了超薄的界面Si层1−x通用电气x片段，解释形态稳定性。集成到欧米茄门控肖特基势垒晶体管，通道长度由硅的选择性转换决定1−x通用电气x对单元Al引线的输运进行了详细分析。在这方面，报告了一个具有高度通用性的Si平台1−x通用电气x提供了从高透明接触到不同肖特基势垒的组成依赖的性质。最值得注意的是，它呈现出突兀、稳健和可靠的金属硅1−x通用电气x连接可以为不同类型的新兴纳米电子、光电子和量子设备开辟新的设备实现。”
引用:
温德，L.，西斯塔尼，M.， Böckle, R.，斯莫利纳，J.，武科梅斯基，L.，阿伯尔，J.，布莱姆，M.，施韦泽，P.，梅德尔，X.，米克勒，J.，富内尔，F.，哈特曼，J.-M.。王晓明，王晓明，单元素铝单触点Si1−xGex纳米片的电输运。小2022,18,2204178。https://doi.org/10.1002/smll.202204178。
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