密歇根大学的研究人员发表了一篇题为“n极性InGaN/GaN纳米线:克服红色发光微型led的效率悬崖”的技术论文。
研究人员创造了“红色微led，其表面积比之前报道的器件小了近三个数量级，同时显示出约1.2%的外部量子效率。密歇根大学的文章。该论文称，这项研究“为克服深度可见微型led的效率悬崖提供了一条途径，这与广泛的应用有关，包括移动显示和虚拟/增强现实设备和系统。”
找到这里是技术文件．2022年出版。
A. Pandey, Y. Malhotra, P. Wang, K. Sun, X. Liu，和Z. Mi，“n极性InGaN/GaN纳米线:克服红色发光微型led的效率悬崖”光子。第10号，1107-1116(2022)。
相关阅读
产量是microled的首要问题
提高效率的方法，测试成千上万的像素，以及识别已知的良好发射器仍在开发中。
microled走向商业化
但随着工具和流程的进步，仍有突破性技术的空间。
留下回复