中文 英语

标签:纳米线

红色微led的表面积小了三个数量级
通过技术文件链接- 2022年11月8日-评论:0

密歇根大学的研究人员发表了一篇题为“n极性InGaN/GaN纳米线:克服红色发光微型led的效率悬崖”的技术论文。研究人员创造了“红色微led，其表面积比之前报道的器件小了近三个数量级，同时表现出约1.2%的外部量子效率，”根据该大学的说法。»阅读更多

高级节点、包的变异威胁增长
通过埃德·斯珀林- 2020年12月21日-评论:0

对于芯片制造商来说，随着他们向下一个工艺节点或越来越密集的高级封装推进，变化正成为一个更大、更复杂的问题，引发了对单个设备甚至整个系统的功能和可靠性的担忧。在过去，几乎所有关于变异的关注都集中在制造过程上。打印在硅片上的东西…»阅读更多

3/2nm的挑战
通过埃德·斯珀林- 2020年9月15日-评论:0

Lam Research计算产品副总裁David Fried谈到了即将到来的工艺节点问题，向EUV光刻和纳米片晶体管的转变，以及工艺变化如何影响成品率和器件性能。»阅读更多

功率/性能位:3月31日
通过杰西·艾伦- 2020年3月31日-评论:0

来自普渡大学、圣路易斯华盛顿大学、德克萨斯大学达拉斯分校和密歇根理工大学的研究人员提出，稀土元素碲可以作为超小型晶体管的潜在材料。碲被封装在氮化硼制成的纳米管中，有助于构建直径为两纳米的场效应晶体管。�…»阅读更多

生产时间:1月2日
通过马克LaPedus- 2019年1月2日-评论:0

更好的纳米线mosfet在最近的IEEE国际电子器件会议(IEDM)上，Imec和应用材料公司发表了一篇关于制造垂直堆叠栅极全能mosfet的新改进方法的论文。更具体地说，Imec和Applied报告了硅纳米线MOSFET的工艺改进，该MOSFET集成在CMOS双工作功能金属替代金属芯片中。»阅读更多

芯片研发内幕
通过马克LaPedus- 2017年6月15日-评论

《半导体工程》与比利时研发组织Imec总裁兼首席执行官Luc Van den hove坐下来讨论了研发挑战、EUV和其他话题。以下是那次谈话的节选。SE:显然，摩尔定律正在放缓。传统的流程节奏从2年扩展到大约2.5到3年。然而，研发并没有放缓，对吧?.．.»阅读更多

2.5D, asic扩展到7nm
通过马克LaPedus- 2017年6月13日-评论:2

领先的代工市场正在升温。例如，GlobalFoundries、英特尔、三星和台积电最近都宣布了各自的新工艺。厂商的新工艺范围从10纳米到4纳米，尽管目前的竞争发生在10纳米和/或7纳米。事实上，一家供应商，GlobalFoundries，本周将描述更多关于其之前宣布的细节…»阅读更多

晶体管会变得多小?
通过马克LaPedus- 2016年8月18日-评论

几乎所有人都同意摩尔定律正在变慢。但是，它是否会真正结束，或者只是变得过于昂贵和无关紧要——以及什么将取代设备缩放——是一些影响深远的研究和大量讨论的主题。《半导体工程》杂志与三家顶级研究机构的领导人进行了面对面的交谈。»阅读更多

生产时间:2月17日
通过马克LaPedus- 2015年2月17日-评论:0

瑞典隆德大学(Lund University)计划为纳米技术领域的初创企业建立一个试生产设施。该设施将供瑞典公司和研究人员生产产品。这是为那些没有资金建造自己的设施或购买昂贵设备的公司准备的。该项目源于隆德大学对纳米线的成功研究。»阅读更多

一对一:Aaron Thean
通过马克LaPedus- 2015年1月22日-意见:0

《半导体工程》杂志与Imec工艺技术副总裁兼逻辑器件研发项目主任Aaron Thean坐下来讨论了工艺技术、晶体管趋势和其他主题。SE:芯片制造商正在提高16nm/14nm的逻辑节点，10nm和7nm的研发正在进行中。目前10nm和7nm的时间表是什么?Thean: 10nm已经在路上了。我们将看到……»阅读更多

←老帖子

  • 赞助商

关于

导航

与我们联系

版权所有©2013-2022 SMG |服务条款|隐私政策
Baidu