GlobalFoundries介绍了7nm finFET的细节。
领先的代工市场正在升温。例如，GlobalFoundries、英特尔、三星和台积电最近都宣布了各自的新工艺。厂商的新工艺范围从10nm到4nm，尽管目前的竞争发生在10nm和/或7nm。
事实上，一家供应商，GlobalFoundries，本周将介绍更多关于它的细节此前公布的7nm finFET技术．此外，该公司还宣布了新的7nm ASIC产品，并透露了其5nm计划。
GlobalFoundries的7nm finFET工艺，被称为7nm Leading-Performance (7LP)，是14nm finFET技术的缩小版。7LP承诺提供比其14nm finFET技术高出40%的处理能力和两倍的面积扩展。
7LP的初始生产将基于193nm浸渍和多模式。当EUV光刻技术可以批量生产时，该公司将迁移到EUV光刻。
GlobalFoundries的7LP技术现在已经在该公司位于纽约州萨拉托加县的300mm晶圆厂为客户设计做好了准备，设计套件现已可用，基于7LP的第一批产品预计将在2018年上半年推出。批量生产将于2018年下半年开始。
此外，GlobalFoundries还推出了FX-7，这是一款基于该公司7nm finFET技术的专用集成电路(ASIC)产品。FX-7提供了一套接口ip，如SerDes (60G, 112G)，内存，dac / adc和ARM处理器。它还包括先进的包装选项，如2.5D/3D。FX-7 ASIC产品的设计套件现已向客户提供，预计将于2019年批量生产。
GlobalFoundries ASIC业务部高级副总裁Mike Cadigan表示:“全球网络中数据流量和带宽的爆炸式增长为我们的客户带来了一系列新的需求。”“通过利用我们最先进的7LP finFET工艺技术，FX-7产品通过为数据中心、深度计算和无线网络等新的市场模式提供最先进、低功耗和高性能ASIC解决方案，继续扩大我们在服务客户方面的领导地位。”
其他公司也有7nm的宏伟计划。台积电的7纳米技术，被称为N7，将在今年第二季度进入风险生产，2018年量产。然后，台积电将推出采用EUV光刻工艺的N7+。该产品将于2019年发货。
就三星而言，它正在发展8nm, 7nm和6nm工艺．Gartner研究副总裁Sam Wang表示:“从上市时间的角度来看，三星不可避免地必须提供宽松的7纳米技术，以应对台积电在EUV准备就绪之前积极的7纳米DUV计划。”
“客户不能完全依赖三星的7nm纯EUV计划，因为ASML在EUV方面的确切进展存在不确定性。在某种程度上，三星的8LPP节点是一个放松的7nm节点，它应该相当于台积电的N7，而三星的7LPP应该相当于台积电的N7+。”
英特尔也不甘示弱，计划在年底前推出10纳米finfet。英特尔辩称，其10nm工艺相当于其他晶圆代工厂的7nm工艺。
虽然公司正在开发10nm、7nm和其他改型，但他们也在开发5nm。例如，最近，IBM和它的研究联盟伙伴GlobalFoundries和三星，透露更多细节关于为5nm节点开发所谓的纳米片fet。
纳米片场效应晶体管是栅极全能场效应晶体管的一种，有时也称为横向纳米线场效应晶体管。纳米线FET是finFET的一种进化，在它的一侧有一个带门的鳍。
(a) finFET， (b)纳米线，(c)纳米片的截面模拟。(来源:IBM。)
仍在研发阶段的纳米片场效应晶体管类似于横向纳米线场效应晶体管。但是根据一些专家的说法，在纳米片fet中，导线要宽得多、厚得多，这使得它能够提供比纳米线fet更好的静电和驱动电流。
三星正在开发4nm的纳米片fet．GlobalFoundries似乎正在开发5纳米的纳米片fet。与此同时，英特尔和台积电尚未透露其确切的5nm计划。
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