芯片行业的技术论文摘要:11月15日


新的技术论文添加到半导体工程本周的图书馆。(表id = 63 /)»阅读更多

改善电气性能和p型TFET低频噪声的特性


新技术论文题为“高压D2和H2退火对LFN属性FD-SOI pTFET“忠南国立大学和韩国研究人员发表的理工大学。“这项研究调查的影响高压氘(D2)退火和氢气(H2)退火的电气性能和低频噪声(LFN)完全耗尽silic……»阅读更多

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