RF SOI联盟;EUV权力;卡片;WFE前景。
工厂材料/工具
参考项目,创建一个泛欧洲研究项目开发射频绝缘体(RF-SOI)技术,最近推出了Bernin,法国的设施Soitec。Soitec项目负责人在集团有一个合格的预算为3300万欧元。
该项目将重点发展技术4 g +通信使用射频前端模块和数据率高于1 Gb / s。它将为下一代5 g通信铺平道路。工作的范围包括材料、工程基质,流程,设计、计量和系统集成。
该项目包括来自五个国家的16个伙伴组织。除了Soitec,包括意法半导体,TELIT CEA-Leti和大学Claude Bernard里昂1 / Laboratoire Multimateriaux等接口(LMI)。此外,它还包括GlobalFoundries, Siltronic空客AED, Sentronics弗劳恩霍夫公司协会,德累斯顿技术大学和德国联邦国防军大学(UBWM)。此外,该集团还包括Imec, Namium,Ferfics。
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Imec有宣布开幕Imec佛罗里达,新实体关注光子学和高速电子集成电路设计基于奥西奥拉,佛罗里达。Imec佛罗里达开始与签署的合作协议佛罗里达中央大学(佛罗里达),奥西奥拉县和先进制造研究国际财团(ICAMR),这是建立工厂设施的开发和生产高度创新III-V-on-silicon解决方案为范围广泛的应用程序包括传感器、高速电子和光子。
Gigaphoton有宣布成功实现250瓦特的光输出转换效率4.0%的laser-produced等离子体光源原型EUV扫描仪(垂直距离)。在这个输出电平,EUV光源可用于大批量生产。该公司还宣布其成功实现119小时的连续操作测试超过130瓦。
Plasma-Therm已经获得了纳米蚀刻系统,开发者的离子束刻蚀和离子束沉积系统。
芯片制造商
执行副总裁保罗Kyungwhoon Cheun和下一代业务团队负责人三星解释说,公司的大部分最近的5 g的发展舞台。
三星推出了该行业的第一可移动的记忆卡基于电平普遍闪存(UFS) 1.0卡扩展标准。卡片设计用于在高分辨率的移动设备,如数码单反相机拍摄,3 d虚拟摄像头,摄像头和无人机行动。
联华电子公司(联电)报告了未经审计的净销售额2016年6月的月。当月销售额增长12.16%,而一年前类似的时期。
市场研究
分析师韦斯顿TwiggPacific Crest Securities的说,NAND供给和需求继续保持相对健康,至少现在。在未来,然而,市场是多云。“在三个月滚动的基础上,合同价格显示,6月相对没有变化相比,下降3%。我们相信快速的采用固态硬盘(ssd),连同一些增长有限微米,英特尔海力士和西部数据/东芝,帮助NAND定价。我们认为短期定价是受益于一些增长有限公司把更多的精力集中在3 d NAND坡道,在短期内较低的输出。不过,3 d NAND生产在2017年初坡道应该有意义,这将推动明年产能过剩,”Twigg说。
这是另一个预测:“我们半导体资本支出和芯片厂设备(WFE)模型表明,需求将在2017年稍有上升,WFE在2017年达到324亿美元,高于320亿年的2016美元。我们预计flash支出增长6%,DRAM下跌5%,逻辑上升了2%,和铸造上涨1%。需求从2017年的中国国内生产商应该适度增长,但我们期望大的国内内存项目进一步实现,”Twigg说。
这里有更多的:集成电路的见解下调2016年半导体市场预测到-1%。IC insight预测2016年全球GDP增长率仅为2.3%,低于2.5%的水平,被认为是全球经济衰退的阈值。
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130 w的实数Gigaphoton不是250,这是有可能飙升。130年是比去年增加了20%。
参考:http://www.nedo.go.jp/news/press/AA5_100597.html
见图表。