存储器内建自测试(MBIST)支持筛选方法准确预测的失败行为测试设备在高温下仅从较低的温度测试。
文摘:
“自旋转移力矩磁性随机存取存储器(STT-MRAM)是其中一个最有前途的候选人取代传统嵌入式内存等静态RAM和动态RAM。然而,由于小的开/关MRAM细胞比率,过程变化可能减少芯片的营运利润率。参考调整建议的方法来减少变异对芯片的影响。除了流程变化,热变化进一步减少STT-MRAM的营运利润率和施加更严格的限制比CMOS技术操作温度范围。缺陷与边际热行为尤其困难,因为它是非常昂贵的测试在测试人员在整个工作温度范围,甚至可以减少芯片的生命周期。因此,我们提出一个存储器内建自测试(MBIST)支持筛选方法准确预测的失败行为测试设备在高温下仅从较低的温度测试。通过添加五个阿拉伯学者运行在85°C,我们能够预测MRAM失败在125°C的准确率达到了99.11%。这个预测可以用来定义一个引用修剪调整值优化读操作在整个工作温度范围的MRAM。”
找到这里的技术论文。
c·蒙克j . Yun m . Keim和m . b . Tahoori”MBIST-supported修剪调整补偿MRAM的热行为,“2021年IEEE欧洲测试研讨会(ETS), 2021年,页1 - 6,doi: 10.1109 / ETS50041.2021.9465383。
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