7-level nanosheets;下一代hbm;人工虹膜。
7-level nanosheets
2020年座谈会在VLSI技术将首次与电路作为一个虚拟的会议。
6月15日至18日举行的活动,围绕的主题是“未来40年的VLSI无处不在的智慧。”事件的报纸包括先进nanosheet晶体管、3 d堆叠存储设备,甚至人为的虹膜。
事件,CEA-Leti-Minatec预计将在第一次提交论文seven-level堆叠nanosheet晶体管场效应晶体管。这反过来又演示了一个nanosheet场效应晶体管可以延长几代。
今天的finFET晶体管将停止扩展,最终导致芯片制造商搬到一个新的晶体管类型,即gate-all-around场效应晶体管(fet)。一种类型的gate-all-around场效应晶体管被称为nanosheet场效应晶体管,预计将出现在3 nm节点在2022年或更早。
finFET的进化,nanosheet场效应晶体管基本上是一个finFET的门周围包裹。nanosheet由几个单独的和薄水平或表,这是垂直堆放。组成了一个通道。
门周围每个表,创建gate-all-around晶体管。一般来说,大多数nanosheet演讲涉及技术有三个或四个nanosheets。
同时,CEA-Leti-Minatec首次将演示一个nanosheet七表,根据本文的一个抽象。nanosheet场效应晶体管的研发组织实施替代金属门的过程,内部间隔和自对准联系人。
在论文中,研究人员将评估增加的权衡Weff /足迹以提高设备性能和过程的复杂性。他们将展示大门可控性高当前的驾驶性能(3 ma /µm VDD = 1 v)和漏极电流的3倍的改善通常两级堆叠nanosheet晶体管,根据抽象。
下一代hbm
事件,台积电将显示一个新的低温键合和叠加技术对于高带宽内存(HBM)。
使用这种技术,台积电将演示12 - 16-high死HBM栈和更好的性能比当前技术,根据本文的一个抽象。
在HBM DRAM模相互堆叠上的提升内存带宽的系统。每个模具都有小microbumps。的疙瘩使用热压缩成键相连。使用在矽模具与基础通信死通过(tsv)。
与此同时,台积电在技术工作系统集成芯片(SoIC)。SoIC利用先进的芯片堆叠技术,使客户开发类3 d架构。叠加技术使用铜混合粘结技术,可以两个晶片在一起或晶圆的芯片。台积电称之为SoIC键。
尽管如此,使用的技术,该公司开发了12 -和16-high死小栈的HBM外形因素。12-high结构可以有一个总高度低于600µm。高度可调整以适应需求,台积电。
12-high堆叠结构包含超过10000 tsv,根据抽象。这些债券进行测试。线性电流-电压曲线得到,展示良好的粘结和叠加的质量。
与传统microbump技术相比,12 -和16-high模结构的带宽使用SoIC技术给出了一个改进的18%和20%,分别根据抽象。12 -的功率效率和16-high模结构演示了一个提高8%和15%,分别。另外,12 -的热力性能和16-high SoIC-bond结构提高了7%和8%,分别根据台积电。
更多的论文
许多人将论文的事件。在生物技术方面,Imec,根特大学和KU鲁汶将一篇关于一个完全封装人工虹膜。虹膜是嵌入在一个聪明的隐形眼镜。
技术的目的是减轻与人眼虹膜不足的问题。“变量虹膜光圈使用四个不同直径的同心环实现嵌入式镜头LCD,“根据抽象。”活动了一天不用嵌入式电源充电,系统能耗为1.9 mw控制虹膜光圈以及操作16眨眼传感器、光传感器和相应的计算逻辑。”
在记忆方面,与此同时,Macronix国际将论文比例hemi-cylindrical (HC) 3 d NAND闪存设备的大内存窗口。提出细胞面积(0.009µm2 /层)只是~ 32%标准的3 d NAND细胞区域,根据抽象。它使一个大型> 10 v Vt和100 k内存窗的耐力。
在一个单独的纸,东京大学与indium-gallium-zinc-oxide集成ReRAM数组(IGZO)访问在一个3 d晶体管单堆栈。与技术,研究人员展示了基本功能的内存计算3 d神经网络。
在另一篇论文,Kioxia将其发现周围门垂直沟道场效应晶体管。40纳米的结构有一个门长度使用backend-of-line (BEOL)过程兼容的小说氧化物半导体In-Al-Zn-O通道材料。“捏造场效应晶体管具有高可伸缩性,优良的热稳定性(~ 420°C)比传统In-Ga-Zn-O-channel场效应晶体管,具有高流动性(12.7厘米2 / Vs)特点,“根据抽象。“此外,垂直沟道场效应晶体管也表现出出色的可靠性和稳定运行而不浮体效应。耐力超过1011次也证明。这项工作打开一个通道,实现高性能BEOL晶体管3 d-lsi应用程序。”
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