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HBM,纳米片fet驱动x射线Fab使用

x射线工具监测HBM堆栈中的芯片对齐和纳米片晶体管中的Si/SiGe组成。

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Paul Ryan,副总裁兼总经理力量的x射线业务,与半导体工程坐下来讨论x射线计量进入制造业的运动,以更好地控制纳米片薄膜堆叠和焊料碰撞质量。

SE:你认为目前增长最快的领域是哪里?从应用方面来说,推动你们技术发展的关键因素是什么?

瑞安汽车是一个增长迅速的大领域,而且这确实是安全关键的方面。这些缺陷并不一定会杀死 设备马上。如果他们这样做,他们就会在电气测试中被发现。它检测的是进一步影响性能的关键缺陷。一个关键的应用程序,我们正在通过现在是对齐的模具(在高带宽内存),你可能有8个堆叠在一起,看看它们是如何对齐的,并测量在线厚度。这对我们来说是一个真正的新兴领域。对于HBM,我们正在与一些公司合作在矽通过而且再分配层(rdl)。我们用XRF测量的最大的东西是合金的厚度和成分。在测量焊料成分时,我们会观察RDL和UBM金属薄膜厚度(例如凸点中的银含量),并在3D包装中寻找空隙或桥接缺陷。一致性是关键,确保RDL具有正确的合金成分。

SE:过去的一个问题是x射线检查太慢,所以仅限于点检。这种情况改变了吗?

瑞安:是的,这种情况肯定正在改变。我们一直在创新x射线源的设计,挤出更多的能量,更多的光子,并优化光学设计。我们最近升级了我们的检测链,这是显著改善。我们最新的x射线荧光(XRF)产品用于前端生产线,显著提高了吞吐量,达到每小时30、40、50片晶圆,这是真正值得生产的。

SE:还有其他热门应用吗?

瑞安: x射线衍射正在测量用于各种GaN功率应用的SiC晶圆中的缺陷水平,因为SiC缺陷在晶圆与晶圆之间和批次与批次之间变化非常大。因此,客户真正关注晶圆的质量,既从“我们是否使用它”的角度考虑,也从优化设备尺寸和使用的基板等方面考虑。一些更昂贵、更大的设备需要更多的晶圆空间。所以你可以开始优化哪些器件放在哪些晶圆上。

SE:你发现了什么样的缺陷?

瑞安最大的杀手是像微管这样的东西,或者本质上是一根直接穿过晶圆的管道,它基本上杀死了晶圆。但是还有很多纱线错位,这是很关键的。然后是所谓的基面缺陷,本质上是基面晶体一侧的穿线位错。它们的大小从原子级到微米级的位错。

SE:你们的系统在多大程度上使用了机器学习(ML)或人工智能?

瑞安这要看技巧了。在计量方面,我们倾向于做更多的模拟、分析和回归,这仍然是最好的方法。但随着检测技术的进步越来越快,我们肯定会使用机器学习。

SE:在过去,x射线工具已经超出了osat的价格能力。这种情况改变了吗?

瑞安有两个不同的市场。我们没有购买osat,但我们看到台湾一线公司在高带宽内存和逻辑方面有很多活动。随着时间的推移,我预计他们会把它推向下游。但是现在,第一梯队已经在内部做了很多,你不会想到会有客户在内部做这些。

SE:向无凸点的过渡会怎样?你几乎需要能看到里面,对吧?

瑞安:传统上,检查都是在包装上,几乎是在PCB层面。当然,我们会越来越往上移动。因此,我们在隔离后对带材进行x射线检查。但我们现在再次转向,更多地转向预晶圆,关注晶圆上,当你在工艺的早期发现问题时,它的价值要高得多。这是最近才发生的变化。

SE:在晶体管方面,随着行业从finfet向下发展到forksheet fet,也许还有碳纳米管fet。芯片制造商会进行更深入的检查吗?

瑞安这将取决于它是如何实施的。一旦你开始研究碳纳米管,你就可以想象晶体结构的样子了。当你研究这些材料以及它们是如何构成的,它们的相位是非常重要的。

SE:在分辨率方面,你能走多远的极限是什么?还有其他技术在这个领域竞争吗?

瑞安:我们可以将罐子推到1微米以下。其他的一些,如x射线CT(计算机断层扫描),具有更好的分辨率,但视野非常小。所以,它们对于失败分析来说是可以的,但是对于生产来说就太慢了。在包装方面,我们的分辨率下降到3微米,这对于后端缺陷来说是很好的。在晶圆上,我们正在成像缺陷对晶格的影响。应变场比缺陷本身要大得多。所以菌株必须能够繁殖。

SE: x射线工装随着生产的使用有什么变化?

瑞安:以前的x射线衍射系统在很大程度上是一把瑞士军刀,任何时候你有了一个瑞士军刀一样的工具,你就危及了一切。Bruker和我们的客户都做了很多工作,精简了工具需要做的事情,并针对他们试图监控的内容进行了优化。通过这样做,您可以提高吞吐量,提高生产率,并改善拥有成本。

SE:所以x射线终于开始流行了?这花了一段时间。

瑞安:是的,它现在确实在迅速发展。我们正在正常生产。

- Ed Sperling对本文也有贡献。



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