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结构、晶体管、材料的巨大变化


芯片制造商正在为架构、材料以及晶体管和互连等基本结构的根本性变化做准备。最终的结果将是更多的流程步骤,增加每个步骤的复杂性,以及全面上升的成本。在前沿,finfet将在3nm(30埃)节点后的某个地方失去动力。仍在工厂工作的三家铸造厂…»阅读更多

一周回顾:制造,测试


节点扩展战争正在加速,尽管大部分行动发生在大多数人看不到的地方——研究实验室里。这是很困难的事情,这使得交付日期很难确定,没有人愿意放弃他们的竞争地位或承诺一个他们无法遵守的时间表。数十亿美元的前沿研究-由纯晶圆代工台积电,IDM…»阅读更多

HBM,纳米片fet驱动x射线Fab使用


布鲁克x射线业务副总裁兼总经理保罗·瑞安(Paul Ryan)与半导体工程公司(Semiconductor Engineering)坐下来讨论了x射线计量技术在制造业中的应用,以更好地控制纳米片薄膜堆叠和焊料凹凸质量。SE:你认为目前增长最快的领域是哪里?从应用方面来说,推动你们技术发展的关键因素是什么?Ryan:一个b……»阅读更多

晶体管在3nm达到临界点


半导体行业正在进行十多年来新晶体管类型的首次重大变革,转向称为全门(GAA) fet的下一代结构。虽然GAA晶体管尚未上市,但许多业内专家都想知道这项技术能持续多久,以及会有什么样的新架构取代它。除非有重大延误,今天的GAA…»阅读更多

追逐碳纳米管fet


经过近四分之一个世纪的研发,碳纳米管晶体管终于在先进逻辑芯片的潜在应用上取得了进展。现在的问题是他们是否会从实验室搬到晶圆厂。多年来,一些政府机构、公司、铸造厂和大学一直在发展,现在正在取得碳纳米管场效应传输的进展。»阅读更多

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