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标签:forksheet场效应晶体管

新一代晶体管有什么不同
通过凯瑟琳德比郡- 2022年10月20日-评论:0

经过近十年的发展和五个主要节点，以及大量的半节点，半导体制造业将开始从finfet过渡到3nm技术节点的全能堆叠纳米片晶体管架构。相对于finfet，纳米片晶体管通过在相同的电路占地面积内增加通道宽度来提供更大的驱动电流。gate-all-aroun……»阅读更多

结构、晶体管、材料的巨大变化
通过埃德·斯珀林- 2022年8月18日-评论:0

芯片制造商正在为架构、材料以及晶体管和互连等基本结构的根本性变化做准备。最终的结果将是更多的流程步骤，增加每个步骤的复杂性，以及全面上升的成本。在前沿，finfet将在3nm(30埃)节点后的某个地方失去动力。仍在工厂工作的三家铸造厂…»阅读更多

HBM，纳米片fet驱动x射线Fab使用
通过劳拉·彼得斯- 2022年3月8日-评论:0

布鲁克x射线业务副总裁兼总经理保罗·瑞安(Paul Ryan)与半导体工程公司(Semiconductor Engineering)坐下来讨论了x射线计量技术在制造业中的应用，以更好地控制纳米片薄膜堆叠和焊料凹凸质量。SE:你认为目前增长最快的领域是哪里?从应用方面来说，推动你们技术发展的关键因素是什么?Ryan:一个b……»阅读更多

下一代晶体管
通过埃德·斯珀林- 2022年3月7日-评论:0

纳米片，或者更一般地说，栅极全能fet，标志着最先进节点晶体管结构的下一个重大转变。Lam Research计算产品副总裁David Fried与《半导体工程》杂志讨论了使用这些新型晶体管的优势，以及未来节点的无数挑战，特别是在计量领域。»阅读更多

晶体管在3nm达到临界点
通过马克LaPedus- 2022年2月23日-评论

半导体行业正在进行十多年来新晶体管类型的首次重大变革，转向称为全门(GAA) fet的下一代结构。虽然GAA晶体管尚未上市，但许多业内专家都想知道这项技术能持续多久，以及会有什么样的新架构取代它。除非有重大延误，今天的GAA…»阅读更多

晶体管和芯片的下一步是什么
通过马克LaPedus- 2021年10月21日-意见:5

Imec CMOS技术高级副总裁Sri Samavedam接受了《半导体工程》杂志的采访，讨论了finFET缩放、栅极全能晶体管、互连、封装、芯片和3D soc。以下是那次讨论的节选。SE:半导体技术路线图正朝着几个不同的方向发展。我们有传统的逻辑缩放，但包装…»阅读更多

堆叠纳米片和叉车fet
通过凯瑟琳德比郡- 2021年8月19日-评论:0

栅极全能fet之后的下一步还在研究中，但很可能会涉及到某种版本的堆叠纳米片。先进晶体管的设计是一种权衡。一方面，它需要更少的门电容来控制一个薄通道。另一方面，薄通道不能携带那么多的驱动电流。堆叠纳米片设计试图通过…来协调这两个目标。»阅读更多

晶体管和集成电路架构的未来
通过马克LaPedus- 2021年3月18日-评论

《半导体工程》杂志与英伟达制造与工业全球业务发展主管陈杰(Jerry Chen)坐下来讨论了芯片缩放、晶体管、新架构和封装;Lam Research计算产品副总裁David Fried;KLA营销和应用副总裁Mark Shirey;以及D2S首席执行官藤村昭。以下是节选…»阅读更多

Imec的持续扩张计划
通过保罗McLellan- 2021年1月14日-意见:0

在12月的IEDM上，开幕主题演讲(严格来说是“全体会议1号”)由Imec的Sri Samevadam主持。他的演讲题目是“走向原子通道和解构芯片”。他介绍了Imec对半导体未来发展的看法，包括摩尔定律(缩放)和摩尔定律(先进封装和多晶圆)。听到Imec的世界观总是很有趣，因为…»阅读更多

制造3nm及以上的芯片
通过马克·拉佩德斯和埃德·斯珀林- 2020年4月16日-评论:4

一些代工厂开始在研发中增加3nm的新5nm工艺。最大的问题是在那之后会发生什么。2nm及以上节点的工作正在顺利进行，但仍存在许多挑战以及一些不确定性。已经有迹象表明，由于各种技术问题，晶圆代工厂已经将3nm的生产计划推迟了几个月。»阅读更多

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