挑战模式和面具

半导体工程坐下来讨论光刻、光掩模与Uday Mitra趋势,副总裁兼首席技术官的蚀刻业务单元应用材料;高级经理和副主任Pawitter Mangat EUV光刻GlobalFoundries;首席执行官阿基》d2;Hayashi直,研究员戴日本印刷(DNP);和迈克Rieger,资深的工程总监Synopsys对此。以下是摘录的讨论。

SE:在第1部分中,我们讨论了EUV和其他科目。让我们回到EUV光刻技术。当前的挑战是什么?

Mangat:2014年是一个优秀的。源有力量,但现在需要改善。它显示的可靠性和可用性。你必须显示一个多冲一天或两天。现在,我们想要几周或几个月,像我们所做的与浸入式扫描仪。我们必须从60%或70%的可用性。当你进入生产,你需要获得90%的可用性。我们需要这些类型的数字在今年年底。这不是一个问题。你需要看看13周平均指标的标准。 And the higher the number, the better it is. If we target 70% availability and a 13 week running average on good wafers, not just garbage in and garbage out, the confidence level will be very high. And then people will invest more. But it’s wait and see right now.

SE:还有问题吗?

Mangat:今年,从一个置信水平,我们需要显示印刷适性游行抵制剂量,我们认为将是可持续的。在过去的两年里,在我看来,拒绝没有进展。两年前我们有一个突破。在过去的两年里,我们一直停滞不前。再次,很多事情已经发生。涉及到整个基础设施。你要看看你的供应链从空白资格面具。EUV目标进入画面。当然,客户希望看到薄膜。

密特拉:有很多其他挑战。在面具腐蚀,例如,因为EUV光源是一个角度,这个概要文件必须是完美的。和正常情况下,常规的面具,你可以有一个或两个度,这是可以接受的。在EUV小于0.5,它必须是完美的在8度。此外,与EUV,可以解决一些7海里一代的问题。你可以做所有的同时削减。但EUV有自己的边缘位置的问题,又因为首席射线角。

SE:我们也回到193海里浸泡。将在7和5 nm如果行业需要吗?

Mangat:这里有两件事。1、基本物理,k1因素和限制在193海里浸泡。我们都知道。我们成功的原因是由于分裂,分裂增殖和材料。另一件事是,我们已经掌握了多种模式在14 nm。所以人们已经习惯了,但是他们也知道你必须担心叠加,边缘位置和不同的东西。这些理由为什么人们有信心可以使用光学在10纳米。7海里将是一个挑战,但这是可行的。如果你把EUV成画,它可以帮助一些7海里。但它不是总解决方案7海里。 Even for 5nm and 0.33 NA, EUV is not going to cut it. You need high NA EUV. That’s why ASML initiated the high NA discussion, because even they know the limit of EUV. Right now, 32nm half-pitch is basically the limit. But then, you can say you have to use double exposure, or double patterning, with EUV. And then you put pressure on the mask side. Does that make sense when the blanks are so costly and the infrastructure isn’t there?

Hayashi:很明显我们可以扩展光学与也许SAOP 7海里。切割或洞,这是非常具有挑战性的。为此,EUV和电子束直写,或者多波束eBeam光刻这些技术,将有助于减少,如果变得可行。

Rieger:光学和多个模式,你有很多不同的选择。你可以有三个面具或更多。每一个人也有一个选择。所以有人会选特定的组合层是巨大的。

SE:所以,光学光刻技术将永远持续下去吗?

Mangat:所以延迟EUV, 193 nm浸10 nm填补这一市场空缺。但我不认为193海里可以永远。所以,193海里永远不会去除非设计师回来用一种新的思维方式,思考设计不同,利用过程的人能做什么。例如,你必须评估你可以做最小的鳍线和空间。最小的接触可以做什么?你的紧密覆盖是什么?2纳米,如何设计东西的空间?线边缘粗糙度和抗拒也很重要。在那样的层次,需要什么样的抵制和我们如何控制?

》:它肯定不能去,直到永远。例如,有一个大问题大约5海里。

Mangat:现在,没有多少选择5海里。你可以把名单上的一切定向自组装,EUV和直写。这个领域是敞开的。它可能是一个混搭的解决方案。对于关键层,您将需要选择。对于接触和非常重要的洞和通过,您将需要选择。

SE:定向自组装(DSA) ?

密特拉:我认为这将会发生。也许从内存,它可能更容易插入。最终,也许逻辑。但这是一个互补的解决方案。将使用193 nm沉浸在模式的某些方面,如线/空间和部门。EUV会在某些地方。也许,DSA也会进来。你可能会看到一个不同的技术进入我们的前进。

Mangat:从成本的角度来看,DSA看起来有吸引力。即使缺陷密度数据好转。然后,有整个的集成设计的一部分。你是如何设计你的DSA布局十字线的信心,它将土地我想要在哪里?不仅如此,而且我想要的准确性。我希望看到的进展。我们想要成功,因为成本的命题。但另一方面,从铸造的角度来看,问题是我们如何得到这个到集成流?约束我们担心是什么?如果我要做DSA几层口罩,这还算是一种成本或时间优势? So for DSA, we want it and wish it happens. But I want to see the design progress to give me some confidence.

》:DSA的问题孔位置错误。什么需要精确地控制这些事情不仅是指导模式这是一个矩形。那么这需要什么是能够打印这些指导模式曲线特性。反过来,OPC可以处理要求曲线和面具。所以需要一个整体的基础设施需要使工作完美的东西。

Rieger:我们等,共同创立了DSA紧凑车型。问题是你需要什么样的指导模式?我也想知道DSA成为现实时,是否会是灵活的。你能告诉一个设计师如下:“这是洞,去找出模式。“然而,它可能会更像这样:“这里有一些漏洞,您可以使用预配置。你可以使用。这是包的东西或不能使用的配置。

SE:Nanoimprint光刻吗?技术是获得一些蒸汽在NAND闪存,但它会进入动态随机存取记忆体和逻辑吗?

Hayashi:仍有defectivity和覆盖的学习曲线。nanoimprint NAND闪存更灵活,而DRAM。NAND叠加精度并不那么重要,而DRAM和逻辑。nanoimprint NAND闪存是一个好的起点。在我个人看来,我们需要一年或两年学习的其他应用程序。

多波束电子束SE:发生了什么?

》:多波束,面具先编写会发生。人们相信它会发生。没有在生产。这是一组技术,适于生产需要成长和成熟。基本物理。有很多像EUV激励,让它发生。

SE: IMS纳米加工与多波束在测试网站测试工具面具写作。IMS也谈到了多波束直写。与此同时,Mapper最近推出了多波束直写的工具。对这一问题的想法吗?

》:IMS的人做了一个非常聪明的事情。五年前,他们首先决定开发一个面具写作的工具。从业务的角度来看,直写比面具更有吸引力。但他们做了一个明智通过专注于面具市场第一。然后,他们赚钱后能解决直写问题在面具写作。同时,Mapper和其他人正在做的多波束的直写预算有限。在这里,钱这个问题。如果直写社会资助的十分之一EUV资助,他们能使其工作。只是没有足够的钱要在这个方向上看到一些迫在眉睫。另一方面,技术是可伸缩的,非常小的尺寸。 So it’s not too late. The strength of e-beam is depth of focus. The weakness of e-beam is that it takes time. Even if you have multi-beam, and have lots of different beamlets at the same time, it still takes time. Multi-beam for direct-write has many more challenges, as compared to mask writing.