景观变化供应商基地。
2018年,行业需要密切关注3 d NAND闪存供应商基地的一些重大变化。
更改涉及一些合作者,包括东芝/西部数据公司和英特尔/微米搭档。它还影响其他3 d NAND球员,即三星和SK海力士。
但首先,NAND闪存的需求依然强劲的冲击数据系统。去年,在NAND闪存市场中一个具有挑战性的时期。产品短缺、供应链问题和困难的技术过渡的一些问题。
和之前一样,供应商增加3 d NAND闪存。3 d NAND制造比此前认为的更加困难。与平面与非,这是一个二维结构,3 d NAND摩天大楼像一个垂直,水平层堆积,然后使用微小垂直连接通道。
转换从平面到三维NAND比预期的要长。这是过去两到三年。
不同的是供应商基地。这是最新的一系列事件领域:
东芝的传奇
去年,东芝陷入财务困难时期和被迫出售其珍贵的NAND闪存单元。随着时间的推移,东芝选择贝恩资本(Bain Capital)牵头的财团购买NAND闪存单元。该财团包括SK海力士,苹果,戴尔,希捷,金斯敦技术,和球兰,以及日本创新网络和日本开发银行,根据KeyBanc资本市场。
令人惊讶的是,该集团不包括东芝的fab partner-SanDisk。SanDisk现在是属于西方的数字。西部数据公司试图阻止该交易,但它显然已经达成和解,将祝福东芝的NAND闪存单元的销售。西部数据也将是一个工厂的合伙人新的东芝NAND公司。
2018年看点:如果交易发生,所以目前尚不清楚这个项目会成功。首先,该集团包括SK海力士,西部数据的一个竞争对手。东芝,SK海力士和西部数据将共存仍是一个谜,导致一些焦虑的客户群。
处理组由贝恩资本(Bain Capital)仍未完成。它需要监管部门的批准和它可能瓦解。如果是这样,东芝和西部数据可能最终合作伙伴。
Intel-Micron分手
今年1月,英特尔和微米结束了他们长期与非共同发展的伙伴关系。公司将继续开发NAND闪存,但他们将在未来的3 d与非独立工作。
公司同意完成3 d NAND的第三代技术的发展,它将在2018年底交付。,预计96 -层设备。
除此之外,这两家公司将开发3 d与非独立。两家公司还将继续联合开发和制造3 d XPoint,下一代存储技术。3 d XPoint Intel-Micron Flash技术(IMFT),利希的合资工厂,犹他州。
AnandTech,高科技的网站,提出了一些原因为什么英特尔和微米结束他们的努力在3 d NAND闪存。微米和英特尔的3 d NAND闪存技术是基于浮栅技术。也许微米和新管理想要钱包一个不同的技术,这是电荷陷阱。
在我看来,我不会感到有点惊讶,如果英特尔有一天退出3 d NAND关注3 d XPoint。3 d NAND成为商品和英特尔推动3 d XPoint难以商业化。
3 d XPoint正在增长,但它有很长的路要走之前它实现了自己的承诺。也许更有意义支持3 d XPoint。
中国会成功与非吗?
去年,中国发布了一系列新的记忆项目,包括与非风险。一个中国供应商,长江存储技术(YRST),希望开发3 d NAND闪存。也有几个画在图纸上的晶圆厂。
YRST开发了3 d NAND闪存,但它是一个可疑的老一代技术产量。这是远远落后于其竞争对手。
中国是发现3 d NAND闪存是一个很难掌握的技术。它可能是更好的找到合作伙伴。然而,问题是明确的:谁愿意交出YRST IP ?
三星卷
仅在3 d NAND,三星的资本支出的支出在140亿年将达到惊人的2017美元,根据IC的见解。总的来说,三星的2017年资本支出260亿美元,包括3 d NAND, DRAM(70亿美元)和铸造(50亿美元)。
这本身应该竞争的担忧。不过,竞争可能会分心。许多厂商仍在试图找出他们的新伙伴关系或策略。所以也许三星3 d NAND的上风,至少默认情况下。
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看来三星不获得。东芝/ WD应该已经开始运输96 l去年年底。今年整体钻头增长应该在或高于45%,而微米可能会超过50%。英特尔可能第一消费者SSD QLC准备船。
还有一种感觉,微米将建立一个新的3 d NAND晶圆厂,可能很快宣布他们只是不能没有新的能力,可能一些2 d NAND能力被转换为DRAM . .离岸金融中心,这意味着产出在2020年或者2019年晚些时候和他们的创4 3 d NAND闪存。
今年好奇多快QLC坡道,如果它在消费者迅速起飞,也许这就是定义。
只是一些想法,可能对部分或全部是错误的。