IoT-Power什么是重要的,性能或集成?

半导体工程和史蒂夫·哈丁坐下,AT&T的物联网解决方案集团产品开发主管;首席执行官韦恩戴VeriSilicon;约翰•Koeter解决方案集团的副总裁Synopsys对此;拉杰夫Rajan,负责物联网的副总裁GlobalFoundries。以下是摘录的谈话。

SE:每个人都在谈论的主要问题之一时物联网就是力量。我们如何获得权力?设计,材料,或者重新思考架构?

哈丁:我们正在做的一件事与我们所有的合作伙伴的技术,不要使用无线网络。一个叫DRX(不连续接收),另一个是省电的模式。这些新发展本质上允许甚至现有技术来适应这些解决方案。物联网设备不像智能手机,你想尽快在你的电子邮件警报。网络将会意识到这些设备和知道他们将要睡着的时间更长,所以它不从他们的网络。我们能看到的一些现有技术存在。一旦你把它们在深度睡眠模式,它不会是罕见的最后10年电池。但在10年,电池技术本身就具有挑战性。

拉詹:最重要的事情之一是实现设备将要做什么。如果你的应用程序需要持续的力量,通常他们的操作要求很低。然后他们做破裂处理,然后回来。如果你能管理权力之间的相互作用,当前的需求,和所运行的应用程序,你可以得到一个更多的果汁从系统中出来。等技术FD-SOI讲到底。一侧有权力和泄漏管理。如果你能做正确的权衡,这是一个很好的方向去。5克的到来,我们需要不仅是考虑一件事情本身。更多的是关于如何一件事和另一件吗?不仅能够管理自己的权力,但它必须管理沟通与另一件事,这样的事也管理它的力量。

Koeter:有一些非常有趣的方式来解决电源问题涉及设计工具和设计流程。有一个相对较新的标准权力统一格式3.0分析架构。在系统级和芯片级,你可以建模您的芯片使用UPF值3.0最好的架构。人使用,通常结合实际软件看燃烧的力量,如何最小化。在实现流之类的东西动态电压和频率扩展,调整时钟频率取决于芯片上的负载。然后还有岛屿和力量电压的岛屿。晶圆厂已经把大量的精力开车过程从电压的角度来看。40 nm它们运行在0.8伏特。这是一个非常重要的数字,因为它是一个AA电池的电压在其生命的终结。如果你可以有一个工厂流程运行在0.8伏特在40或50纳米,这很重要。在finFET节点,我们听到0.5伏特。这是一个重要的方法来管理权力。然后如果你展望未来,有一些有趣的发展能量收获,像捕获能量当你呼吸。现在没有有效的方法来捕获,但总有一天他们会。在一条高速公路,有压电压缩的水泥。城市开始沿着路边,把电容器的能量收获高峰期电力路灯。它不是很实用,但很有趣。最后一个例子涉及森林火灾,造成数十亿美元的损失。有研究,如果弦钉敲击到一棵树上,把另一端到地面,产生涓流电流。有些人积极努力做这些网传感器在偏僻的地方的树木。

戴:当我们看,我们认为的电池。但是在其他情况下,它的热量信封。汽车和ADAS,有时热的问题。你有多少热量可以生成的极限。

SE:符合标准在哪里?

哈丁很多无线技术推动了一个完全不同的部分。没有关注这个特定的用例。现在人在标准委员会的重点。现在我们需要开发硅量只是为了这些用例。因为他们不卖的高端手机,它必须是数字,超过。任何技术,提高力量和帮助驱动体积将是有益的。

SE:我们听说55纳米是主流物联网的过程,但现实是物联网包括从传感器到服务器在数据中心。

拉詹:这是一个所有这些。这不仅仅是技术是正确的。从商业路径的角度来看,这是哪家公司愿意采用的技术。几年前,物联网将是这里了。现在有报道说,物联网正在放缓。有报道称40 nm将是一个长期节点。现在有报道称40和28长期节点因为采用曲线已经放缓。增加成本。如果我们真的寻找更广泛的采用,成本点必须面向大众市场。物联网是一个广泛的水平平台。 Now it is being viewed as a series of vertical implementations. It’s a combination of lack of standardization and fragmentation that’s driving the market. Over time, as the right forces gel together to bring the key parameters to drive adoption, standards will come in on top of that.

Koeter:我们一直跟踪我们的售前支持物理IP的机会。现在,我们跟踪大约150的设计艰难的IP与进程相关的。大约60%的55岁或40 nm,和28 nm和低于20%。还有很多其他技术在智能传感器。

戴:有些人不超越55纳米由于泄漏。finFET和FD-SOI都完全耗尽。一个是3 d,一个是2 d。我们相信双方会共存。但是我们真的想为FD-SOI设计,不仅仅是港口。您可以使用finFETs,但FD-SOI容易。有身体偏置,是FD-SOI非常独特。FinFETs不能这样做。同样,你可能不需要在最坏的情况下签字。所以当你看面积、成本和包括身体偏置,你可以有很多的优势。我也看到0.6伏及以下。所以你有很多的优势。 We also tape out using 14nm finFETs. We work with all the foundries, and we work with every 28nm, including high-k/metal gate. Sometimes people say a finFET is not justified. We find people need a lot of options.

拉詹:FD-SOI带来最好的PPAC熊。我们有一个低/中/高区别,和22 fd-soi有能力跨这些弹性功能。700 mhz,迎合市场的低端/中间。1 ghz以上,可以迎合高端市场,。这也是一个很好的技术。每个幻灯片都需要成为财务人的Excel电子表格。这涉及到价格、性能、成本以及功能和性能水平。当我们得到,我们允许公布这些技术,这时我们会看到每个人跨越鸿沟。从我们的角度来看,我们使所有这些领域,帮助客户做出正确的选择。

Koeter不同的流程节点:有趣的集成可以实现的水平。通常你认为最先进的流程节点有最高水平的集成,这是真正的从门数的角度来看。但是55岁和40 nm, eFlash过程,你的射频过程对这套非常关键。这是一个高水平的集成,它是人们住在这些节点的原因之一。如果你去FD-SOI或finFET,得到权力和性能之间的平衡。当你沿着性能碾轧,和finFET的方法之一是低电压,同时仍然保持一定程度的性能。

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