在有很多话题在雷达下飞行。热的是什么?
有先进光刻技术研讨会,光刻技术中最优秀、最聪明的头脑,计量、抵制和design-for-manufacturing (vlsi)字段装配了一个星期。一年一度的事件就是一个很好的方式获得脉冲光刻的当前状态。
在今年的方法相比,它是简单的阅读。极端紫外线(EUV)光刻仍然延迟。其他的下一代光刻技术(天然气凝析液)项目,多波束和nanoimprint-continue挑战。而且不用说,镇上唯一的游戏和多个成像193 nm液浸式光刻技术。一些人甚至在谈论“八倍的模式”,这似乎是一个昂贵的,如果不是可怕的,技术需要考虑。
有许多其他的故事情节在学报。这里有几个科目,飞在雷达下有:
下一个挑战与EUV是什么?
EUV天然气凝析液的主要候选人竞选。但每隔几年,似乎一个新问题表面与EUV,离开观察家怀疑这项技术能达到大规模生产。
EUV电源的问题已经知道多年。五年前,英特尔发出警告的差距对EUV掩模基础设施。然后,两年前,Sematech谈到EUV掩模缺陷问题空白。
在今年的方法相比,该行业谈论一个相对较新的问题薄膜。不久前,EUV支持者坚称不需要薄膜的技术。现在,薄膜的EUV是每个人的愿望清单。“总有可能会落在面具,”安东尼表示日圆,台积电Nanopatterning技术基础设施部门的主管。“那么,薄膜EUV是必要的。”
ASML Holding一直致力于开发一种EUV薄膜。在新闻事件中,日圆敦促行业与ASML加速这个过程。“我会问商业薄膜供应商加入ASML为实现这一目标,”他补充道。
另一个问题是如何检查EUV掩膜。可能需要光化性检查,这是另一种昂贵的技术。到底是谁会站出来基金项目吗?
DSA发生吗?
定向自组装(DSA)正在快速发展,但许多作品必须到位。DSA仍存在一些差距,计量、检验和设计基础设施。
芯片制造商也必须与工厂合作工具厂商和材料供应商实现DSA。和内部组织公司还必须合作。
例如,应用材料公司最近宣布计划收购东京电子有限公司(电话)。有一段时间,有点看好DSA应用。电话一直是DSA的忠实拥护者,随着公司发展专业技术跟踪装置。
在有电话继续在DSA全速前进,但应用在某种程度上逐渐远离DSA。相反,应用是推动传统形式的多个模式方案,即自对准双模式(SADP)。
DSA需要专门的跟踪装置,但实际上它并不需要新的工具。应用知道,很难出售DSA的新工具。另一方面,SADP和其他多个模式计划需要新的CVD工具,腐蚀装置和其他装置。在这个领域,应用和电话,站在进行巨额利润。
在有电话电报Applied-TEL拟议的合并的可能的情况。提出并结合Applied-TEL实体可能会出售工具DSA和传统的多次曝光方案。“电话的位置,我们将提供多个解决方案,“说此人Sekiguchi,公司副总裁兼副总经理电话。
多波束和nanoimprint呢?
现在,它对多波束得出任何结论还为时过早。预计今年晚些时候,CEA-Leti呈现第一个结果映射器的预生产多波束的工具。最近系统是安装在CEA-Leti。
在学报,KLA-Tencor与多波束技术提出了一些有趣的结果,但目前尚不清楚,如果该公司将开发一个全面的生产工具。多波束,大卫·林的公司仍然是发展的工具。
多波束、nanoimprint行业将值得关注。今年早些时候,佳能的半导体部门收购分子印记,nanoimprint工具的供应商。信息产业部曾有过一些成功的销售东芝在快闪记忆体使用的工具。随着时间的推移,然而,平面与非正朝着3 d NAND,不需要先进光刻。所以,也许最大的nanoimprint non-semiconductor应用市场,如磁盘驱动器、显示器和其他人。
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[…]编辑马克LaPedus花了天与人,听演讲有但不是全部由[…]
佳能现在工作在15 nm nanoimprint技术与东芝合作。我认为将会有相当多的挑战来产生一个数的面具使用15 nm模式和复制衬底上相当不错。好事是,NAND似乎相当容错,但如果他们试图模式会发生什么逻辑?