英特尔的14 nm困境;三星的新的内存;女朋友的奖项;TowerJazz购买工厂。
摩尔定律是活着还是死了?这仍然是一个争论的话题。在任何情况下,芯片制造商继续到高级节点,但转换所花费的时间。即使是强大的英特尔挣扎,基于该公司表示对其14 nm finFET过程本周在一次投资者会议。实际上,英特尔继续挣扎在其收益率。“14 nm到期收益率;14 nm仍不屈服以及22纳米,但英特尔预计14 nm 22纳米的收益率在H2:16相匹配。过渡已经比最初预期的更困难(有点落后与英特尔想要的地方,”分析师Amit Daryanani说加拿大皇家银行在一份报告中。“重要的是,英特尔指出,他们继续保持显著的优势与同行(三星和台积电)在()能够实现更高密度的晶体管。更重要的是,英特尔仍然相信他们的领导和密度优势应该保持完整(如果不是可能改善)当每个人都最终过渡到10海里。”
分析师在一份报告中,韦斯顿TwiggPacific Crest Securities的说:“虽然英特尔仍然领先于竞争对手,但它指出,它与14 nm收益率仍在苦苦挣扎。收益率的挑战可能仍是规范流程复杂性增加。这可能成为一个持续的行业问题,但是它不太可能影响设备公司2016年,英特尔和铸造厂准备坡道10纳米技术。”
“分析师日,英特尔宣布了一项100亿美元(+ / - 5亿美元)2016年资本支出计划,从73亿年的2015美元。3 d NAND扩张占增加15亿美元,剩下的12亿美元相关安装10 nm的逻辑能力。这是有利于半导体设备股,2016年我们提高资本支出估计为英特尔从82亿美元到100亿美元,”Twigg说。“英特尔的计划花费15亿美元在2016年的3 d NAND远远超过我们预期的10亿美元以下。3 d NAND资本支出的15亿美元可以产生20000至25000晶圆开始在一个新建的网站,也许更高如果英特尔很有水平的设备在大连工厂重用。”
网表已经进入了五年的联合开发和许可协议与三星生产的一个新类NVDIMM-P (NV-P)内存解决方案,基于三星NAND闪存和DRAM和网表的HyperVault。NV-P NAND-based存储的新类,运行在内存通道。公司计划在2016年样本NV-P产品选择客户。根据,网表将获得2300万美元,包括800万美元的现金从三星(Samsung)和1500万美元的形式来自三星风险投资公司的投资。
中国继续使大胆的声明对投资在半导体业务工厂工具领域。这一次,中国清华Unigroup说,它计划在未来5年内投资470亿美元。基金,它希望成为世界第三大芯片制造商,据报道。
GlobalFoundries提出了一个卓越奖从Inova半导体GmbH是一家专业发展的产品为千兆/ s串行数据通信车载显示器和驾驶员辅助系统。
TowerJazz继续购买更多工厂的资产。这一次,它已经签署了一项协议马克西姆集成产品公司来购买格言的8英寸晶圆厂在圣安东尼奥,德克萨斯州。
在半导体将会获得飞兆以每股20.00美元的所有现金交易价值约24亿美元。与此同时,米/ com已经进入了最终协议收购撒小谎日本商人市场组件供应商,全现金交易价值约6000万美元。
北美国的全球半导体设备制造商公布了13.3亿美元的订单在2015年10月(三个月平均的基础上)和一个6项比例的0.98,根据半。相比之下,1.04前一个月。
半导体设备是一项艰难的工作。大公司的规模也越来越大。许多人购买较小的球员。还有一些人只是走下。例如,Qcept检查设备,开发人员最近关闭了大门,根据亚特兰大商业纪事报。多年来,Qcept筹集了超过5000万美元的风险投资。
廉价智能手机在新兴市场需求持续推动智能手机的全球销量在2015年第三季度,据Gartner。智能手机的全球销量给终端用户达到3.53亿户,比2014年同期增长15.5%。
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