铸造司机;GF IP;Qualcomm-NXP;K&S在热座位吗?
芯片制造商
在2016年,单一业务的增长铸造业务将由领先的流程,根据集成电路的见解。
事实上,纯粹的增加销售额今年预计将几乎完全由于过程< 40 nm。“尽管它将代表纯粹铸造2016年销售总额的60%,≥40 nm纯粹IC铸造市场今年预计将持平,“根据IC的见解。“相比之下,尖端< 40 nm纯粹铸造市场预计在2016年飙升了23%,增加了36亿美元。”
约54%的台积电的预计2016年营收来自< 40 nm制程流程,与2015年的47%相比,根据IC的见解。在2016年,52%的GlobalFoundries”销售预计将来自< 40 nm生产。相比之下,2015年的51%,该公司表示。在2016年,18%的联华电子的销售预计将来自< 40 nm制程生产,而到去年的10%。
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Invecas供应商的IP, ASIC和嵌入式软件解决方案,宣布了可用性GlobalFoundries 14 nm finFET的IP基础技术。IP组合包括通用I / O,记忆,标准单元库和接口和模拟IP的全套解决方案。
另外,Invecas还将提供IP和ASIC设计服务的GlobalFoundries FDXcelerator伙伴计划,一个生态系统,旨在促进22不会SoC设计基于22纳米FD-SOI技术。合作旨在加快社技术的采用在各种应用程序中,如物联网(物联网),手机、射频连接,和网络市场。
X-Fab硅晶圆代工厂将收购的资产的Altis半导体,一个独立的专业铸造厂位于大巴黎地区的破产程序。从250纳米到130纳米节点,Altis半导体提供了一套完整的流程,包括混合信号、低功率射频,嵌入式非易失性内存等等。
三星电子和SAP开了一个联合研究中心根据该公司将进行内存解决方案研发用于下一代计算内存。中心将专注于内存技术的发展,使更快的数据处理和分析的数据量迅速增加。
的下一代记忆竞赛正在升温。自旋转移技术(STT),开发人员的正交旋转Magneto-Resistive随机存取存储器技术转让(OST-MRAM),制造垂直MRAM磁隧道结(mtj)小20 nm在弗里蒙特的发展工厂,加州”自今年年初以来,我们已经能够处理40多晶片,这一成就可能已经三年多没有现场研发工厂,”巴里霍伯曼说,STT的CEO,在一份声明中说。“在仅仅四年,STT从孵化到商业化了。”
奥迪、宝马、戴姆勒、爱立信、华为、英特尔、诺基亚和高通已经宣布成立“5 g汽车协会。”该协会将开发、测试和促进通信解决方案,支持标准化和加速商业可用性和全球市场渗透。
的华尔街日报》报道称,高通正在收购谈判NXP半导体。“Eindhoven-based NXP将是一个合适的目标,因为它有一个非常广泛的产品组合可以拓宽高通的市场覆盖率。例如,它将扩大高通的汽车市场将从目前的仪表板发挥发动机和身体控制。和NXP成为头号芯片供应商汽车后市场飞思卡尔收购。飞思卡尔收购也带来NXP显著单片机组合需求方和无线基础设施,包括小细胞基站芯片5 g细胞所必需的基础设施市场,”将斯特劳斯说提出的概念。“高通公司市值约为950亿美元,NXP公司的市值约为320亿美元。这笔交易可能会在未来两三个月,但绝不是某些结果。”
工厂的工具和T&M
国家仪器(NI)2016年发布了VeriStand最新版本的软件嵌入式软件测试工程师用来构建和运行半(边境)验证系统。今天的工程师面临的需求变更由连接汽车的出现和自主车辆。VeriStand和NI的边境系统是开放的和可定制的平台,帮助企业满足市场不断变化的测试需求。
Breithorn资本管理是一个私人投资经理和股东吗Kulicke &本(K&S)。它拥有大约1.1%的K&S优秀普通股。在一封给K&S的董事会,Breithorn强调K&S的低估值和大量的多余的现金余额。它与董事会的担心缺乏紧迫感在解决历史股票表现不佳。Breithorn认为公司应该雇佣顾问评估战略备选方案。
市场研究
连接汽车生产是快速增长,据Gartner。新汽车配备的生产数据连接,通过一个内置通信模块或通过绳索与移动设备,预计将达到1240万年的2016人,增加到6100万年的2020。
“我们预计DRAM大幅增加合同价格,比我们看到8月上升了1%至2%。NAND合约定价增加可能会下降一些,从我们看到8月上升2%至5%,同时保持积极。终端需求依然很好,虽然DRAM保持稳定的供应量和供应在NAND沉默作为3 d平面能力是离线NAND转换,”韦斯顿Twigg分析师说Pacific Crest Securities的在一份研究报告。“DRAM供应仍在管理和定价是改善。DRAM价格出现强劲LPDDR4需求增加了支持苹果斜坡和PC出货量和内容有所改善。我们认为,三星已经放缓其18海里转换管理供应,可能帮助定价。然而,我们目前预计三星加快转换利用强大的定价。我们也希望微米加快1 xnm过渡,暗示在资本支出转向DRAM表示,计划在F2017 NAND。”
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扇出研发;显示检查;固态硬盘;并购狂热。
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x光猫电影;跳舞电子;在三维光子晶体。
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