墨水场效应晶体管;垂直晶体管、单片3 d。
墨水场效应晶体管
的宾夕法尼亚大学开发了一种新方法使芯片使用了纳米晶体墨汁。的设备,称为纳米晶体场效应晶体管(fet),可以用一天灵活和可穿戴应用程序开发芯片
在实验室中,研究人员设计了球形纳米粒子。这些粒子的电特性,分散在液体中。由此产生的材料称为纳米晶体油墨。
四种类型的油墨被开发,包括导体(银),绝缘体(氧化铝),半导体(硒化镉)和导体结合掺杂剂(银、铟的混合物),宾夕法尼亚大学的研究人员指出。
然后,油墨是用于制造纳米晶体场效应晶体管。在流,形成一个面具。然后,导电银纳米晶体墨水从液体在一个灵活的塑料表面沉积。
面具。因此,银墨水形成栅电极。然后,一层氧化铝nanocrystal-based绝缘子的表面旋涂。
再往下,一层硒化镉nanocrystal-based半导体上沉积。最后,铟/银混合物形式源和下水道。
佩恩发达纳米晶体油墨组成四个晶体管,然后放置在一个灵活的支持。(来源:宾夕法尼亚大学)
当加热时,铟掺杂剂扩散到设备。“这些材料是胶体与喷墨打印机的墨水一样,“切丽·卡根说,宾夕法尼亚大学的教授,“但你可以得到所有你想要的特征,并期望从类似的散装材料,如他们是否导体、半导体或绝缘体。
“晶体管到更大的区域和在较低的温度下目标的新兴类的技术,当人们认为物联网,大面积柔性电子元件和可穿戴设备,“卡根在大学的网站上说。“我们还没有开发的所有必要的方面,以便可以印刷,但是因为这些材料都为基础的解决方案,它演示了这类材料的承诺和加法制造奠定了基础。”
垂直晶体管
几年前,一群来自卡内基梅隆大学提出了下一代,vertical-like晶体管类型。技术,被称为垂直狭缝基于晶体管的集成电路(VeSTICs),最近又可能成为下一代晶体管的候选人。
VeSTICs利用的一个关键元素,称为垂直狭缝场效应晶体管(VeSFET)。简而言之,VeSFET junction-less设备时,栅氧化层是在一个垂直平面上。有两个门/晶体管。
双栅晶体管被四个金属柱子。他们作为门码头。还有一个源和排水装置。两者之间的通道,或狭缝,盖茨允许电流。
VeSFETs可以安排成一个数组的晶体管,这被称为VeSTIC画布。测试结构一直在开发绝缘体(SOI)基质。“比较基准电路实现的标准单元格样式表明,当操作在最大速度,功率延迟产品VeSFET设计只有35%的CMOS设计,”据一篇论文Wojciech马利教授从卡内基梅隆大学电子与计算机工程系。“当以同样的速度运转,VeSFET设计漏电功耗消耗动态功率只有35%和2.6%的cmos实现。”
整体三维
Leti,一个学院的东航科技宣布,其合作的延续高通Leti单片3 d技术的发展。
技术,被称为CoolCube是一个连续的集成方案,不需要在矽通过(tsv),使活动层的叠加的晶体管在第三维度。
作为合作的一部分,高通技术和Leti通过灵活的共享技术,多党合作项目将加速技术的采用。扩展项目的目标包括建立一个完整的CoolCube生态系统,需要从设计到制造的技术。
Leti首席执行官玛丽Semeria说:“在一起,我们的目标是建立一个完整的生态系统和厂、设备供应商、组装和EDA设计房屋的所有块拼图和移动技术到产品品质的阶段。”
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