必要步骤继续设备扩展到新流程节点。
作者:Honggoo李一个,Sangjun汉一个Minhyung香港一个,Seungyong金一个,Jieun李一个,DongYoung李一个Eungryong哦一个,Ahlin崔一个,Nakyoon金b约翰·c·罗宾逊c,马库斯鲁如坤等c,巴勃罗·罗维拉cSungchul柳c、拉斐尔捷信c,Dongsub崔b,Sanghuck全b
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光刻过程控制解决方案要求更严格的功能的半导体行业前进1 x nm节点DRAM设备制造。为了继续按比例缩小器件特征尺寸,临界尺寸(CD)均匀性要求持续改进满足所需的CD误差预算。在这项研究中我们调查CD-SEM方法使用光学测量技术来改善重点,剂量和CD。
的一个关键挑战是测量扫描设备的焦点模式。有集中测量方法基于scribe-line上特别设计的痕迹,然而,这种方法的一个问题是,它将报告的焦点文士线,这可能是不同于真实设备的模式。此外,scribe-line标志需要额外的设计和故障排除步骤,增加了复杂性。在这项研究中,我们调查集中在设备上直接测量模式。
剂量控制通常是基于使用剂量之间的线性相关的行为和CD, CD的噪音测量基于CD-SEM例如,不仅会影响精度,但也将很难监控剂量产品晶片上的签名。在这项研究中,我们将报告直接剂量计量结果使用光学测量系统,特别是增强了DUV光谱覆盖改善信噪比。
CD-SEM常被用来衡量CD光刻后一步。这种测量方法的优点是简单配方设置以及测量关键特性尺寸的灵活性,然而,我们观察到CD-SEM计量有一定的局限性。在这项研究中,我们将演示within-field CD均匀性改善通过提取清洁扫描仪缝用光学测量和扫描光盘的行为。
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