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计量选择随着设备需求的变化而增加


半导体晶圆厂正在采取“全员参与”的方法来解决棘手的计量和良率管理挑战,结合工具、工艺和其他技术,因为芯片行业在前端向纳米片晶体管过渡,后端向异构集成过渡。光学和电子束工具正在扩展,而x射线检查正在增加。»阅读更多

系统产量问题现在是高级节点的首要任务


系统良率问题正在取代随机缺陷,成为半导体制造中最先进工艺节点的主要问题,需要更多的时间、精力和成本来实现足够的良率。产量是半导体制造业中最隐秘的话题,但也是最关键的,因为它决定了有多少芯片可以盈利销售。“在老节点上,b…»阅读更多

高NA EUVL薄阻的计量


高数值孔径极紫外光刻(high NA EUVL)的诸多限制之一与阻光剂厚度有关。事实上,从当前的0.33NA转移到0.55NA(高NA)的后果之一是焦点深度(DOF)的降低。此外,当抗蚀剂特征线缩小到8纳米半间距时,必须限制纵横比以避免图案崩溃。T…»阅读更多

寻找宏观缺陷:裸片检测的重要性


随着逻辑和存储半导体器件接近摩尔定律的极限,对层传输精度的要求越来越严格。一家领先的硅片制造商估计,50%的逻辑外延晶圆供应将在等于或小于7nm的节点上。与本世纪初相比,这一数字增长了约30%。为了满足极端紫外线的要求…»阅读更多

覆盖如何与EUV图案保持同步


覆盖计量工具提高精度,同时提供可接受的吞吐量,解决日益复杂的设备的竞争需求。在一场永无止境的竞争中,领先设备的产品覆盖公差正在迅速缩小。对于3nm一代(22nm金属间距)器件来说,它们都在个位数纳米范围内。新的覆盖目标,机器学习,和im…»阅读更多

门全能的计量挑战


对于那些致力于3nm及以上全门fet工艺的代工厂来说,计量是一个主要的挑战。计量学是测量和表征设备结构的艺术。在每一个新的节点上,测量和表征器件中的结构变得更加困难和昂贵,而新型晶体管的引入使这变得更加困难。电动汽车……»阅读更多

ML在集成电路制造中的应用方式和位置


《半导体工程》杂志与Imec先进光刻项目主管Kurt Ronse坐下来讨论了机器学习在半导体制造中的问题和挑战;Onto Innovation市场营销高级总监郝宇东;Mycronic的数据科学家Romain Roux;以及D2S首席执行官藤村昭。以下是那次谈话的节选。第一部分…»阅读更多

清洁焦点,剂量和CD计量提高CD均匀性


作者:Honggoo Leea, Sangjun Hana, Minhyung Honga, Seungyong Kima, Jieun Leea, DongYoung Leea, Eungryong Oha, Ahlin Choia, Nakyoon Kimb, John C. Robinsonc, Markus Mengelc, Pablo Rovirac, Sungchul Yooc, Raphael Getinc, Dongsub Choib, Sanghuck Jeonb aSK Hynix, 2091,庆忠大道,Bubal-eub,京畿道利川市,467-701,韩国bKLA-Tencor韩国,Starplaza大厦,metapolis路53号,华城…»阅读更多

改进精度和鲁棒性的先进DRAM与可调谐多波长成像散射计量叠加计量


作者:洪goo Lee, Sangjun Han, Minhyung Hong, Jieun Lee, Dongyoung Lee, Ahlin Choi和Chanha Park, Dohwa Lee, Seongjae Lee, Jungtae Lee, Jeongpyo Lee, DongSub Choi, Sanghuck Jeon, Zephyr Liu, Hao Mei, Tal Marciano, Eitan Hajaj, Lilach Saltoun, Dana Klein, Eran Amit, Anna Golotsvan, Wayne Zhou, Eitan Herzl, Roie Volkovich和KLA的John C. Robinson。摘要叠加过程c…»阅读更多

3D NAND测量挑战不断增长


3D NAND厂商要想把他们的设备提升到一个新的水平,面临着几个挑战,但有一项制造技术在每一个回合都要困难得多。计量学是测量和表征结构的艺术,用于查明问题并确保所有芯片类型的产量。在3D NAND的情况下,测量工具在每一次迭代中都变得越来越昂贵……»阅读更多

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