赢得FinFET铸造竞赛是谁?

激战织机作为铸造巨头把他们押注的时候,如果,体积将坡道。

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领先的铸造的业务挑战。首先,铸造供应商需要大量资源,巨大的晶圆厂和大量的知识。然而,它仍然是很难在这个行业赚钱。

确实证明是这样在平面晶体管时代,但挑战和成本升级铸造供应商开始加大finFET技术在16 nm / 14 nm节点和超越。finFET生产,铸造供应商需要更深的口袋,更大的晶圆厂,技术和客户声音。问题是在高风险的供应商可以跟上finFET铸造竞赛,目前由四个重量级的集成电路产业——GlobalFoundries,英特尔、三星和台积电。

到目前为止还没有明确的赢家在finFET铸造领域。铸造厂仍在finFETs和市场的早期阶段是待价而沽。但在市场上已经有一些令人惊讶的发展。例如,台积电(TSMC)最近表示,其最新16 nm finFET技术不会船直到2015年末,比预期晚。因此,台积电可能会失去最初的finFET订单从苹果和高通铸造两个竞争对手,GlobalFoundries和三星,分析师表示。

另一方面,台积电是加速其10 nm finFET的努力明显是为了获得优势在那个节点。但是,GlobalFoundries,英特尔和三星预计船他们最新16 nm / 14 nm finFET技术领先于台积电。GlobalFoundries,和一个供应商是建立重大finFET工厂能力竞争中的领先地位。

还为时过早宣布finFET铸造领域的成功者或失败者,但趋势越来越明显——领先的铸造市场走向整合。“短期finFET的最初两年期间,生产,不需要超过50000片晶圆产能从铸造厂finFETs来满足市场需求,”塞缪尔·王说,Gartner的分析师。“从长远来看,在2018年之前,不需要每月有超过250 k晶片支持finFETs市场需求的能力。可以满足这种需求的两个大型铸造的球员。如果所有的发展中finFETs铸造厂是成功的,我们可以看到一个落砂铸造业务发生。”

从不同的角度看市场,开尔文低,铸造为三星、营销高级总监说:“市场希望选择。它还需要大笔投资(由铸造厂)。不是,很多公司能做到。”

铸造客户面对一些艰难的选择的选择铸造finFET生产供应商。客户可能会问自己以下问题:铸造供应商可以交付finFETs及时良好的收益率?哪个公司有finFET路线图之外16 nm / 14海里吗?

选择正确的合作伙伴
今天,台积电是铸造行业的领军企业的份额,是为了通过GlobalFoundries,联电,三星和中芯国际,根据IC的见解。但在finFETs,这是一个新的球游戏。除了英特尔,其他铸造厂在finFETs很少或没有份额。

显然,选择错误的铸造的合作伙伴可能是一个代价高昂的错误。因此,最初铸造客户必须找到一个资金雄厚的合伙人并有充分的理由。在资本支出方面,16 nm / 14 nm finFET技术预计将耗资约12.7亿美元每10000片/月(wspm)开始,根据Pacific Crest Securities。额外的20000个晶圆开始将增加约25亿美元的资本支出,根据该公司。

但是寻找一个铸造与大量资源合作只是等式的一部分。事实上,有一个清单的标准而言,选择合适的合作伙伴——技术能力;流程;工厂的能力;交货时间表;服务;和EDA / IP的生态系统。

每个铸造也在finFET生产的不同阶段。那么什么是每个铸造供应商在finFETs干什么?根据预计装运时间表,英特尔将其下一代finFET技术第一,随后在order by GlobalFoundries /三星duo和台积电。

第一是谁?
2011年,英特尔是船finFETs行业第一的芯片制造商。英特尔正在运送自己的芯片基于22纳米技术。它还获得少量小铸造厂客户的过程。

英特尔是更大的推动在铸造行业在14 nm。在14 nm,英特尔公司为客户提供了两个finFET的过程——低功率和通用。阿尔特拉和松下英特尔的铸造厂客户14 nm。但即使英特尔有一些收益问题14 nm制程,导致上半年推出的装运计划2014年下半年。

不过,英特尔在finFETs领先竞争对手。说:“我们有最好的技术Sunit Rikhi,英特尔技术和制造业集团的副总裁和总经理的英特尔的定制铸造单元。“之前在22纳米,我们有最好的晶体管,但不是最好的互联。我们已经改变了这一点。在14 nm,我们有整整一代的新(互联)技术。所以对权力和性能,摩尔定律的经济效益,我们的打。”

然而,迄今为止,英特尔只获得了1%的份额铸造业务,根据Pacific Crest Securities。即使英特尔土地苹果和其他铸造客户,英特尔的铸造份额只会温和的范围从3%到10%,该公司表示。

英特尔并不寻求获得大量铸造客户。相反,它希望与一些高利润的客户工作。英特尔,根据Pacific Crest,有几个在铸造领域的挑战。首先,它对未来的基于arm的铸造厂客户竞争。第二,英特尔仍然缺乏关键的EDA工具和IP为各种各样的客户,根据公司。

动态组合
英特尔,GobalFoundries /三星两人有望成为下一个铸造厂船他们下一代14 nm finFET技术。今年4月,三星14 nm finFET GlobalFoundries授权技术。根据该计划,GlobalFoundries将加大在纽约在300 mm晶圆厂。三星将增加自己的300毫米晶圆厂内相同的技术。

GlobalFoundries和三星、通用平台联盟伙伴在finFETs继续合作。“我们正在提供一个共同的技术(finFETs),”三星的低。“客户发展的灵活性设计和发行两家公司。它提供了灵活的采购。”

公司提供两个相同的14 nm finFET processes-14LPE和14垂直距离。14 lpe正在,是一种低功率增强技术。14垂直距离是一个更高的性能版,它将在2015年年初,Shubhankar Basu说产品经理GlobalFoundries,在最近的一次演讲。

同时,GlobalFoundries,三星似乎采取不同的方法生产的坡道。三星是更为保守的路线,而GlobalFoundries更咄咄逼人。

总的来说,该行业预计将安装120000 wspm 20 nm / 16 nm / 14 nm容量到2014年底,根据Pacific Crest Securities。图,三星计划有一个finFET装机容量10000到15000年底前wspm,据该公司。

“三星只会增加少量finFET今年向潜在客户证明其技术能力,但不足以支持一个斜坡,”韦斯顿Twigg说,分析师Pacific Crest。“三星不会添加有意义的finFET能力没有锚的客户。”

GlobalFoundries,与此同时,预计35000年至40000年wspm finFET的能力在其工厂8设施在纽约到今年年底。”这种类型的斜坡是不可思议的,因为GlobalFoundries没有成功增加一个节点之前,台积电之前,“Twigg说。“GlobalFoundries能否反潮流,成功坡道finFET他人之前,仍有待观察。”

通过加大能力早于后,GlobalFoundries希望早日跳和捕获finFET铸造业务从一个大客户,苹果。在过去几年中,苹果的应用程序处理器由三星在铸造的基础上。事实上,苹果代表着一个庞大的三星铸造销售额的百分比。但随着苹果和三星继续在手机市场竞争,苹果希望减少其依赖三星作为铸造和组件供应商。因此,苹果最近搬到它的一些应用程序处理器铸造业务到台积电,这反过来,影响三星的销售额。

三星仍是做铸造与苹果业务的很大一部分。但为了扩大其客户基础,三星最近进入了两个新的markets-28nm FD-SOI和28 nm射频。“我们预计一些客户仍将迁移到finFETs。FD-SOI对权力和性能和成本是一种妥协,”三星的低说。

追赶
台积电将继续积极地平面节点。但与finFETs台积电也进入新的领域,公司正在迎头赶上。公司开发了第一代,16 nm finFET。它也在开发一个新的和改进的版本,称为16-FinFET +。批量生产16-FinFET +将在2015年晚些时候开始。

台积电表示,它在2014年决定专注于其20 nm坡道,推出多项生产日期的新16 nm-based finFETs。“台积电预计其市场份额16 nm / 14 nm finFET节点低于三星/ GlobalFoundries在2015年,主要是由于上市以后,”迈克尔•麦康奈尔表示Pacific Crest的分析师。“我们相信,台积电可能会失去最初的订单16 nm / 14 nm finFET从高通和苹果三星/ GlobalFoundries。说,台积电将夺回领先份额在2016年16 nm / 14 nm订单能见度。”

到目前为止,台积电已经很少或没有finFET装机容量。总的来说,该公司已经安装了大约70000 wspm 20 nm制程能力,根据Pacific Crest。的一部分,能力可以转化为finFET生产在2015年,据该公司。

重新获得份额,台积电可能有另一个打扮的袖子。它是加速其10 nm finFET技术的发展,将在2016年进入生产。对客户来说,10 nm finFETs铸造厂可能呈现一个更令人信服的解决方案,而16 nm / 14 nm finFETs。铸造厂的16 nm / 14 nm finFETs结合finFET晶体管和20 nm平面互连方案,这相当于一个80纳米。

相比之下,英特尔的14 nm finFET技术更先进的64 nm互连方案,这反过来,为公司提供了一个区域扩展的优势竞争。在面积比例缩小差距在英特尔,铸造厂将推出finFETs更高级的互连方案在10纳米。但为了实现这一目标,铸造厂可能需要新的工具和材料工厂,这将是一个昂贵的议题。

“即将到来的战斗并不是16 nm,”Morris Chang表示,台积电董事长在最近的一次电话会议。“在我看来,16 nm的决战已经打了…我的思想主要是在10纳米,与其说16海里。”

时间会告诉我们如果常是正确的。但无论真正的战斗发生,它几乎肯定会成为一个非常昂贵的IC制造业巨头之间的激战。



5个评论

斯坦 说:

FinnFET looks stray path. What is the destiny of TunnelFET?

嗡嗡声 说:

这篇文章有意义,直到你开始谈论GF作为一个真正的竞争者(最高WSPM和第一个市场)在14 nm。任何人谁知道女朋友知道是不可信的。

[…]大型铸造厂主要发达的工艺16/14nm和10 nm,大多数只是增加部分能力,直到他们看到他们的竞争对手将挂起他们的帽子。很有可能,例如,如果GlobalFoundries,三星、英特尔致力于建设大规模的能力在14 nm牺牲10 nm,台积电可能会选择将大部分精力投入到10纳米。GlobalFoundries和三星看台积电在做什么,以确保他们不被超越,同时窥视英特尔肩上联电,中芯国际,剩余的深入参与对话的大型oem可以填补他们的晶圆厂。在finFET的世界里,一切都在地狱。[…]

SemiMike 说:

女朋友是一匹黑马,可以帮助从最近IBM在该地区现有人才,与三星(Samsung)和IBM系统和协议人,但随着Buzz指出的那样,他们去年看起来并不可信。未来几年我们将看到会发生什么对他们一旦专注于满足客户需求,2017年我很乐观。

理查德Krupski 说:

如果AMD的“禅”微体系结构是大如他们说,这将帮助不少。

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