失踪EUV是什么?

极端紫外线(EUV)光刻技术将进入生产和/或5 nm七点,但正如之前报道在舞台上,也有一些差距。

一次,电源是大问题,但这似乎在短期内解决。现在,这种现象叫做随机效应,或随机变化,对EUV光刻是最大的挑战。

但在大多数事件,业内人士表示,最大的差距是面具检查EUV光化模式,其次是EUV薄膜。还有一些其他的缺口,但这些都是更大的。

面具检查和薄膜都是EUV掩模的基础设施的一部分,这是一种EUV光刻机的重要组成部分。也许是时候看看供应链的EUV掩码。事情很容易改变,但这里的最新领域。

面具空白检验
简而言之,一个集成电路芯片设计,从一个文件格式转换成光掩模。面具是一个给定的主模板集成电路设计。这是放置在一个光刻扫描仪,哪些项目光通过掩模。反过来,用于晶圆片上的图像模式。

如果掩盖缺陷,违规行为可能会印在晶片。所以重要的是要捕捉掩盖缺陷。但这并不容易,尤其是对EUV掩。

EUV掩码流从一个面具的生产空白。有时,生产过程产生缺陷,如微粒,面具坑和疙瘩,空白。

不过,幸运的是,行业开发了各种检验工具用于检测EUV掩模缺陷空白。Lasertec和KLA-Tencor出售optical-based检验工具EUV掩模空白。

此外,Lasertec最近推出了一个光化性检验面具空白系统。使用相同的13.5纳米波长EUV,据说光化技术可以发现更多的缺陷比今天的检查系统使用光学技术。

光化性面具空白检查工具利用专门的EUV来源。“面具检查关键的事情是有一个可靠和稳定的来源,”黛比Gustafson说,首席执行官Energetiq技术,先进的光和EUV供应商来源为各种应用程序,如计量。滨松光子学最近收购了Energetiq。

这个来源不同于那些用于EUV扫描仪,这是基于laser-produced等离子(垂直距离)技术。“在垂直距离,你有氙气或锡滴。和你做一个pre-pulse激光等离子体。每次你滴,激光打它。必须在完全相同的时间。任何时候你打它在另一个层面,你会变化。等离子体的实际运动非常高,”Gustafson说。

相比之下,Energetiq的EUV来源是基于使用氙气Z-Pinch技术。它有一个输出功率为20瓦。“这就是我们的来源是不同的。它运行在氙,但磁约束EUV。这是一个Z-Pinch等离子体。所以稳定性明智,空间和pulse-to-pulse很好,”Gustafson说。“那么,我们没有任何锡和很干净。每个脉冲是最后一个。任何人做任何形式的检查可以依靠他们的检测。”

总之,Lasertec光掩模的空白检查工具似乎工作和源是稳定的。因此,该行业似乎是在良好的状态。

面具检查
图案的面具检查,这个行业可以使用两种类型的检验工具科技光和电子束。事实上,ASML运多波束电子束面具检查工具。

不过,行业希望光化模式面具检查(学院)。学院应该可以找到更多的缺陷比今天的检验系统。

虽然到目前为止,学院不存在,但一些实体正在开发的技术研发。KMLabs,一家公司是开发一个连贯的EUV和软x射线源用于计量和桌面检查工具在半导体行业。

现在,明显是为了加速这和其他技术的发展,KMLabs最近被任命为工厂工具资深首席执行官凯文·费伊。KMLabs也获得一轮增长阶段股权融资与现有投资者的参与,包括英特尔资本和科罗拉多影响基金。

其他人也在开发技术。NuFlare和保罗谢勒研究所(PSI)联合开发一个名为重新扫描的光化性技术。使用同步加速器储存环,该技术结合了扫描显微镜和扫描相干衍射散射对比成像。

使用这种技术,系统可以检查一个通过薄膜EUV掩模,根据亚辛Ekinci组长在PSI先进光刻和计量。

最近,从Imec PSI获得新一代碳纳米管薄膜。“我们成功测试了他们,“Ekinci在最近的一次采访中说。“有或没有一个薄膜,我们得到相同的图像质量。”

据报道,虽然这些努力仍在持续,Lasertec开发一个学院的工具,根据来源。Lasertec也获得了资金技术从一个大芯片制造商,消息人士补充说。“我们已经接到命令光掩模的“空白”检验系统。我们将船在未来,”总经理Hiroshi Asai说公司计划在Lasertec,在最近的一份电子邮件。“我们还没有发展一个光化性模式掩盖检测系统。”

问Lasertec开发一个光化模式面具检测系统或正在考虑开发一个,Asai说:“我没有对你的问题发表评论。”

面具计量
面具计量人员面临着几个挑战。首先,面具是变得更加复杂和每个节点的功能是越来越小。由于这些趋势,面具制造商必须采取比以往更多的测量各种计量工具。

通常,面具制造商使用CD-SEMs测量光掩模的cd。“日益增长的需求使得计量准确性越来越困难。3 d分析也越来越重要,尤其是现在的建模工作。图像在整个图像的准确性,不仅在图像的中心球场,可能会成为更重要的是在数据收集的深度学习时代的整个领域将有助于增加训练数据集,“说阿基》d2的首席执行官。

“测量教师的形状,特别是如果多波束写介绍大量的曲线形状面具设计,将使全磁场轮廓提取更为重要。最终,晶片平面分析提取预测晶片CD CD-SEM面具的照片,这将有助于过滤掉尽可能多的信息之前部署目标。特别是对EUV掩,目标机器非常昂贵,我们看到了越来越多的晶片需求面分析面具CD-SEM,”》说。

薄膜
薄膜也很重要。基本上,薄膜是一种薄,透明膜覆盖光掩模在生产流程。薄膜是一种防尘罩,防止粒子和污染下降的面具。它还必须足够透明,允许光传输从光刻扫描仪的面具。

ASML EUV薄膜的唯一供应商,开发了50 nm厚的多晶硅薄膜。与EUV薄膜行业已经取得了进展,但它必须承受能力好传播率。

“我们已经提高了薄膜透射率很多为了克服功率损耗的挑战。薄膜透射率已提高到现在的83%。我们预计在2019年提高到90%,“高级副总裁Y.J. Mii说研发、设计和技术平台在台积电,在最近的一次事件。

如上所述,Imec的碳纳米管薄膜显示出可喜的成果。时间会告诉我们如果这些技术将从实验室到工厂。请继续关注。

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