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标签:Paul Scherrer研究所

为高na EUV做准备
通过马克LaPedus- 2021年10月21日-评论

半导体行业正在全速发展高na EUV，但提出这种下一代光刻系统和相关基础设施仍然是一项艰巨而昂贵的任务。阿斯麦公司开发其高数值孔径(高na) EUV光刻线已有一段时间了。基本上，高na EUV扫描仪是当今EUV光刻系统的后续…»阅读更多

制造比特:7月20日
通过马克LaPedus- 2021年7月20日-意见:0

ESOL开发了一种独立的干涉极紫外(EUV)光刻工具，用于研发应用。该系统被称为EMiLE (EUV微干涉光刻设备)，主要用于加速EUV光抗蚀剂和相关晶圆工艺的开发。该系统与ASML的EUV光刻扫描仪不同，后者是…»阅读更多

生产时间:12月15日
通过马克LaPedus- 2020年12月15日-评论:0

美国能源部(DOE)布鲁克海文国家实验室(Brookhaven National Laboratory)已经开始建造一种基于鬼成像技术的量子增强x射线显微镜。量子x射线显微镜仍在研发阶段，有望提供更高分辨率的图像，同时对样品的损伤更小。利用国家同步加速器光源II (NSLS-II)，研究人员…»阅读更多

生产时间:11月9日
通过马克LaPedus- 2020年11月9日-评论:0

Paul Scherrer研究所(PSI)开发了一种用于扫描电子显微镜(SEM)应用的开源软件技术。该技术主要用于EUV抗辐射计量。这项技术被称为SMILE (SEM- measured Image Lines Estimator)，是一项开源软件技术，它可以表征SEM中的线条和空间模式。SMILE用于…»阅读更多

提高EUV工艺效率
通过马克LaPedus- 2020年3月19日-评论

半导体行业正在重新思考极紫外(EUV)光刻的制造流程，以改善整体工艺并减少晶圆厂的浪费。供应商目前正在开发新的和潜在的突破性晶圆厂材料和设备。这些技术仍处于研发阶段，尚未得到验证。但如果他们按计划工作，他们可以提高flo…»阅读更多

生产时间:9月24日
通过马克LaPedus- 2019年9月24日-评论:0

研究人员在Weyl费米子和半金属的新兴领域取得了一些新的突破，这一举措有一天可能会在系统中实现自由流动电力。2015年，普林斯顿大学等人终于证明了一种理论存在了85年的无质量粒子——Weyl费米子。费米子是亚原子粒子。由数学家和…»阅读更多

制造比特:5月21日
通过马克LaPedus- 2019年5月21日-意见:0

一组研究人员用高功率x射线激光击中微小的水柱，创造了世界上最大的水下声音记录。爆炸的强度导致水下声音的强度超过270分贝(dB)。这比火箭发射的强度还要大，或者相当于为一个城市创造电力。»阅读更多

EUV中缺少什么?
通过马克LaPedus- 2018年5月17日-意见:0

极紫外(EUV)光刻有望在7纳米和/或5纳米工艺上投入生产，但正如之前报道的那样，该领域还存在一些空白。曾经，电源是一个大问题，但这似乎在短期内得到了解决。现在，一种被称为随机效应或随机变化的现象是EUV光刻的最大挑战。但是在大多数情况下，th…»阅读更多

生产时间:1月16日
通过马克LaPedus- 2018年1月16日-评论:0

相干x射线成像俄罗斯国立科技大学MISIS开发了一种非破坏性的方法来观察光子晶体的内部结构。这项技术被称为ptychographic相干x射线成像，可以获得胶体晶体的电子密度。Ptychography是一种无透镜x射线相干成像技术。其他人也在研究技术…»阅读更多

搜索EUV掩膜缺陷
通过马克LaPedus- 2017年10月19日-评论:2

芯片制造商希望在7nm和/或5nm处插入极紫外(EUV)光刻，但在这项技术投入生产之前，还需要解决几个挑战。一个越来越令人担忧的遗留问题是如何找到[gettech id="31045" comment="EUV"]掩模缺陷。当然，这并不是唯一的问题。该行业继续致力于电源并进行抵抗。部……»阅读更多

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