标签:光化性模式面具检查

检查、模式EUV掩
通过马克LaPedus- 06年11月2019 -评论:0

半导体工程坐下来讨论光刻和布莱恩Kasprowicz光掩模的趋势,技术总监和策略和一个杰出的成员在光电池的技术人员;托马斯•Scheruebl蔡司战略业务发展和产品战略主管;资深技术专家平Nakayamada NuFlare;和阿基》d2的首席执行官。符合什么……»阅读更多

EUV薄膜,正常运行时间和抵制问题继续
通过马克LaPedus——2018年9月26日-评论:0

极端紫外线(EUV)光刻正在接近实现,但几个问题涉及扫描仪正常运行时间、光阻和薄膜之前需要解决这迟来的技术投入全面生产。英特尔、三星和台积电希望EUV插入生产7和/或5 nm。而其余问题不一定使用EUV先发制人,他们做affec……»阅读更多

失踪EUV是什么?
通过马克LaPedus——5月17日,2018 -评论:0

极端紫外线(EUV)光刻技术将进入生产和/或5 nm七点,但是之前报道,在场上有一些差距。一次,电源是大问题,但这似乎在短期内解决。现在,这种现象叫做随机效应,或随机变化,对EUV光刻是最大的挑战。但在大多数事件,th……»阅读更多

更多的光刻/面具的挑战(第1部分)
通过马克LaPedus3月- 15,2018 -评论:2

半导体工程坐下来讨论光刻和格里高利·麦金太尔光掩模技术,先进模式部门主任(getentity id = " 22217 " e_name =“Imec”);哈里·莱文森高级研究员和高级技术研究主管[getentity id = " 22819 "评论=“GlobalFoundries”);董事总经理Regina释放模式技术[getentity id = "……»阅读更多

寻找EUV掩模缺陷
通过马克LaPedus- 10月19日,2017 -评论:2

芯片制造商希望插入极端紫外线(EUV)在7海里和/或5纳米光刻技术,但一些挑战需要解决之前,这一技术可以在生产中使用。越来越令人担忧的一个挥之不去的问题是如何找到[gettech id = " 31045 "评论= " EUV "]掩盖缺陷。当然,这并不是唯一的问题。这个行业继续工作电源和抗拒。部……»阅读更多

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