标签:面具检查

源EUV掩模检查性能指标
通过技术论文链接——4月18日,2022 -评论:0

文摘”规则在光辉,推导获得规范权力,有生之年,和清洁源的光化图案的面具检查系统。我们专注于物理过程和技术方面管理辐射源十字线检查的要求。我们讨论差异和相似之处扫描放大,系统展度,…»阅读更多

想要的:面具成熟的设备节点
通过马克LaPedus- 10月18日,2018 -评论:0

需求增加芯片在供应链成熟节点影响光掩模,导致对后缘面具的巨大需求和一个年长的面具设备的不足。最大的问题是设备不足,可能会影响客户在若干领域。工具短缺可能会导致长面具周转时间和交付时间表在90纳米以上芯片开发,是布鲁里溃疡…»阅读更多

失踪EUV是什么?
通过马克LaPedus——5月17日,2018 -评论:0

极端紫外线(EUV)光刻技术将进入生产和/或5 nm七点,但是之前报道,在场上有一些差距。一次,电源是大问题,但这似乎在短期内解决。现在,这种现象叫做随机效应,或随机变化,对EUV光刻是最大的挑战。但在大多数事件,th……»阅读更多

EUV十字线打印验证与先进的宽带光学晶片检查和电子束审查系统
通过心理契约2018年2月- 14(-评论:0

极端的紫外线(EUV)光刻生态系统正在积极制定使sub-7nm设计规则的设备,有一个直接的和必要的需要确定EUV十字线(面具)检验方法。引入额外的粒子源由于真空系统和增长潜力的阴霾缺陷或其他电影或粒子口供十字线,梳子…»阅读更多

逆光刻怎么了?
通过马克LaPedus10月- 20,2016 -评论:2

近10年前,这个行业推出了一个潜在的颠覆性技术称为逆光刻技术(ILT)。但教师的时间,导致行业推动了技术和把它niche-oriented应用程序。今天,然而,教师越来越新的关注,半导体行业将向7纳米,甚至超越。教师不是一个下一代……»阅读更多

执行官的洞察力:阿基》
通过马克LaPedus——6月23日,2016 -评论:1

阿基》的首席执行官d2,坐下来与半导体工程中的关键问题看光刻、光掩模,以及集成电路产业的变化。以下是摘录的谈话。SE:半导体市场在若干领域正在发生变化。在一个方面,有一个行业的并购浪潮。然后是放缓……»阅读更多

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