工作区为EUV掩模薄膜光学波长外使用十字线检查工具。
极端的紫外线(EUV)光刻生态系统正在积极制定使sub-7nm设计规则的设备,有一个直接的和必要的需要确定EUV十字线(面具)检验方法。引入额外的粒子源由于真空系统和增长潜力的阴霾缺陷或其他电影或粒子口供十字线,结合薄膜的不确定性带来了独特的检验的挑战相比,193年我十字线。
EUV十字线通常与光学reticle-inspection工具检查。然而,如果有一个薄膜的EUV掩模是non-transmissive光学波长十字线检验中使用的工具,那么就需要选择检验方法检验的基础上印晶片。此外,由于潜在的新缺陷机制与EUV十字线,晶圆厂正在寻找更多的方法来re-qualify十字线在生产中使用印刷晶片检查。印刷的晶片检查方法被称为“十字线打印验证”或“十字线打印检查。”探讨这些替代检验方法正在开发合作imec使用先进的宽带等离子体(BBP)的晶片光学检验(KLA-Tencor 3905)和电子束评论系统(KLA-Tencor eDR7280)。
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