工厂工具繁荣;EUV里程碑;EUV抗拒;明尼苏达州铸造。
市场研究
半已经发布了年中预测在西方国家半导体。半报道,全球销售的新半导体制造设备预计将增长19.8%,2017年总计494亿美元,标志着半导体设备市场首次超过了2000年创下的477亿美元的市场高点。在2018年预计增长7.7%,导致另一个破纪录的一年─全球半导体设备市场总额为532亿美元。
在西方国家半导体一般是什么心情吗?“乐观基调渗透西方半导体的第一天从DRAM半导体设备公司指出需求强度,NAND闪存,和铸造客户,支持2 h的良好趋势,可能到2018年,”韦斯顿Twigg,分析师KeyBanc资本市场在一份研究报告。从DRAM”公司表示显著2 h上升,可能是三星和海力士完整的扩张,而3 d NAND建设依然强劲,铸造改进支持7海里坡道三星和台积电。”
全球半导体收入预测在2017年总计达4014亿美元,较2016年增加了16.8%,据Gartner。这将是第一次半导体收入已超过4000亿美元。市场达到3000亿美元的里程碑七年前,在2010年,超过2000亿年的2000美元。
工厂设备和材料
ASML终于达到了目标电源在极端紫外线(EUV) lithography-it取得了250瓦的电力持续操作。
正如预期的ASML正准备下一个EUV光刻工具。工具,称为NXE: 3400 b的数值孔径为0.33和13纳米分辨率。最初,系统会附带一个140瓦的来源吗,使每小时100晶片的吞吐量。
多年来,不过,芯片制造商想要一个250瓦的EUV源把EUV进入大规模生产。在本周的半导体西方贸易展上,不过,ASML说,已经达到了250瓦电源的目标在自己的设施。”(250瓦电源)应该明年年初部署的客户,”Michael Lercel说ASML产品营销主管。
250瓦的EUV电源将被集成到后续系统,使每小时125晶片。
EUV确实取得进展。“最初的成像结果的这些系统在规范,”他说。
尽管如此,还是有一些挑战。正常运行时间、或工具可用性是一个问题。“这是改善,”他补充道。
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ASML已经扩大了整体光刻的努力。使芯片制造商的技术集成了一套产品开发和生产过程控制在7 / 5 nm逻辑和16 nm DRAM节点。ASML的EUV和193海里浸没式光刻系统以其新的YieldStar 375 f计量系统作为补充。
EUV抵制开发商Inpria有获得2350万美元在B系列融资。这种新的融资是由现有的投资者,三星公司,包括参与法国液化空气公司,应用材料“风险部门和英特尔投资。光刻胶的供应商JSR也加入了这一轮新的投资者。
应用材料有公认的10家公司”供应商的年度大奖。”奖项反映在多个领域杰出的表现包括质量、服务、交货时间、交货、成本和可持续性。
半宣布迈克•埃里森的半导体部门爱德华兹,Daisuke日本村田公司的总裁兼首席执行官村田机械被选为新董事半国际板。与此同时,半宣布的接受者2017年半奖美洲。此外,半荣幸四个行业领导者为他们的成就在发展中电子产品和相关行业标准。
芯片制造商
Uniquify芯片系统(SoC)专业制造商和DDR内存系统知识产权(IP)提供者,加入了GlobalFoundries“22纳米FD-SOI合作伙伴计划。另外,GlobalFoundries和VeriSilicon宣布了一项合作,提供行业的吗第一个单片机物联网解决方案为新一代低功耗宽区域(LPWA)网络。利用GF的22纳米FD-SOI技术,公司计划开发知识产权,可以使一个完整的蜂窝调制解调器模块在一个芯片上,包括综合基带,电源管理,射频无线电和前端模块结合窄带物联网(NB-IoT)和LTE-M功能。新方法预计将显著改善,区域,和成本相比,目前的产品。
SkyWater技术铸造宣布董事会的形成。董事会的形成是SkyWater创建后的2017年3月收购柏树明尼苏达州的结果,一位在布卢明顿的200毫米半导体晶圆制造厂,明尼苏达州。,从柏树半导体。购买是由u型产业明尼苏达州的一家私募股权公司。
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一大奇观的EUV是不能容忍250 W的薄膜,随着光子噪声需要剂量增加。