应用钴高峰;中国DRAM探测器;贸易问题。
工厂的工具
应用材料公司已经推出了一个套产品接触和互联,使钴金属化方案在芯片先进节点。
产品应用使一个完整的钴填充过程。这些工具包括CMP、CVD、PVD和RTP系统。高级节点,钴承诺减少不必要的阻力在芯片的关键部分。被用来取代钴钨在某些情况下。然后,一些但不是所有芯片制造商正在使用钴取代铜金属化层的设备。
芯片制造商正在推进在先进的晶体管扩展节点。但业界正在努力维持相同的接触和互联的时间表,它代表了一个更大的部分的成本和不必要的阻力在芯片最先进的节点。
互联,位于顶端的晶体管,包括小铜线计划传输电信号从一个晶体管到另一个。那些在每个节点互联越来越紧凑,导致不必要的阻容(RC)延迟芯片。
复合抗性问题是一个相对论新层称为middle-of-line(摩尔)。摩尔连接单独的晶体管和互连件使用一系列基于钨触点结构。
钴相吻合。它有助于解决芯片的阻力等问题。“五年前,应用晶体管接触和互连,预期一个拐点,我们开始发展一个替代材料解决方案,可以让我们的视野从10 nm节点,“Prabu拉贾说,应用的半导体产品集团的高级副总裁。
在芯片,采用钴在多年来的循序渐进的步骤。最初,技术是实现互连。从20 nm,一些开始取代衬钽与钴。钴减少衬垫的厚度。阻挡层仍然是一个氮化钽材料。
现在,芯片制造商在设备的其他部分中引入钴,即金属化方案。”取代,在某些情况下,铜金属和在其他情况下,钨金属在今天使用的逻辑空间。钴介绍,因为它有较低的阻力位在较小的尺寸。它有能力填补小特性,“产品管理副总裁凯文·莫拉说金属沉积和包装业务小组,在一个在与分析师的电话会议。
但这需要一个以上的工具和过程。“整合这些新材料需要不同种类的干洗,不同类型的沉积技术,周围性血管疾病在某些情况下,心血管疾病和退化在其他情况下。它需要创新整平,蚀刻,wet-clean和在某些情况下,这些材料的改性,”莫拉说。
使钴作为导电材料的使用,应用结合几个步骤——pre-clean肾上腺白质退化症患者和周围性血管疾病,心血管疾病,在其Endura平台。然后,应用定义了一个集成的套件,包括钴退火生产平台,整平的反射路' CMP平台和电子束检查提供平台。
与此同时,行业已经朝着钴。例如,英特尔从钨钴摩尔联系在10纳米。其他芯片制造商正在向钴联系人摩尔。摩尔的尖端设备,“钨的一天即将结束,”乔纳森·巴克说,全球产品经理。
与此同时,与此同时,英特尔从铜钴第一互连的两个金属层10纳米。另一层仍然使用铜。
英特尔此举是该行业的一个里程碑。“我们看看钴是非常重要的,因为它是第一次的金属自1997年以来已经改变了。这是当铝转换到铜,”巴克说。“较低的互联,是铜做的,在专业方面有挑战。”
并不是所有芯片制造商正在使用钴互联,至少现在是这样。成本和集成挑战的一些问题。
芯片制造商
微米,三星和SK海力士被中国政府调查,根据布隆伯格。很多推测,它涉及DRAM价格。DRAM价格居高不下的市场。事实上,中国的商务部反垄断局最近与美光科技的代表举行会议”来表达的担忧持续涨价对PC DRAM产品过去几个季度,“据TrendForce研究公司。“物价上涨使中国pc oem厂商通力合作,挣扎在组件的成本压力。”
联华电子公司(联电)宣布这是排名在前5%的学生公司的公司治理评价台湾证券交易所和台北交易所。
包装和材料
Entegris有签订了一份最终协议获得节约纯气体业务节约getter公司。节约纯气体业务提供高容量的气体净化系统用于半导体制造和邻近的市场。根据协议,Entegris将购买股票和资产构成节约纯气体业务大约3.55亿美元,受习惯购买价格调整。
IEEE和IEEE电子包装协会(EPS)已经宣布威廉陈的收件人吗2018年IEEE电子包装奖。陈是一个IEEE生活研究员和研究员日月光半导体集团。
市场研究
美国与中国的贸易紧张关系升温后短暂的停顿。5月29日,白宫发表了一份声明,宣布将推进关税25%从中国进口价值500亿美元的商品,根据Jay Chittooran公共政策主管半在一个博客。“除了关注商品,美国认为与2025年“中国制造”——中国计划生产更先进的制造业产品在国内,政府还宣布了更严格的投资限制和加强出口管制相关收购工业重大技术,”Chittooran写道。“最后的关税名单将在6月15日出版,拟议的投资限制和出口管制清单将在6月30日公布。”
半报道,全球半导体生产设备比林斯达到了一个历史性的季度高为2018年第一季度的170亿美元。
的半导体产业协会(SIA)宣布全球半导体销售额达到376亿美元的2018年4月,增长20.2%从2017年4月共有313亿美元,总额超过上个月的1.4%为371亿美元。此外,新发布的wst行业预测项目年度全球市场增长2018年的12.4%和2019年的4.4%。
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