点评:制造业的一周

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芯片制造商
最近,英特尔宣布计划投资逾70亿美元来完成为了工厂的钱德勒,亚利桑那州。针对7海里流程,工厂42将在3至4年内完成。报道,工厂的声明是由美国总裁唐纳德•特朗普和英特尔首席执行官布莱恩Krzanich在白宫。

有更多的故事。通常情况下,英特尔有两个晶圆厂对于一个给定的过程,以减少其风险。“如果一个工厂的产量远足或其他问题,然后他们可以增加其他的工厂,”据一位来源。“过去,英特尔不希望新工厂(第一个大批量生产或HVM工厂。所以,这不是100%清楚工厂将HVM 42 # 1或# 2”。

工厂42是巨大的。它可以运行所有英特尔7海里的过程,叫做“1276”英特尔。底线是:寻找英特尔宣布另一个工厂或使用现有的植物7海里。作为回应,英特尔发言人说:“我们还没有做出任何其他披露,我们计划生产7海里。”

7海里,英特尔将装备工厂42 2019年第二季度,消息人士说。英特尔7纳米芯片将船一年后,即2020年左右,他们补充说。英特尔发言人说:“我们还没有做出任何声明关于生产计划7海里以外我们说的关于工厂的预期建设时间42(3 - 4年),它是针对7海里。”

现在,英特尔计划推动finFETs 7海里。“他们将留在finFET除非他们在技术上必须过渡到别的东西。所以我认为他们所做的一切可能finFET推到极限,”该消息人士称。

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这是官方的。台湾的联华电子公司(联电)已经进入了finFET市场。已经开始大规模生产的14 nm finFET技术。联电14 nm finFET技术是55%的高速度和门密度超过28 nm制程技术的两倍。14 nm过程也消耗大约50%功率小于28 nm。联华电子生产14 nm客户ICs公司的工厂12在台南,台湾。“我们将继续完善这个过程,正在与其他客户带来完整的性能、功率和浇口密度14 nm finFET的好处,使硅等领域的下一代网络、人工智能和各种消费产品,“说Po-Wen日圆,联电的首席执行官。

三星电子宣布启动其最新的应用程序处理器,Exynos 9系列8895。这是三星的第一处理器芯片组基于其10 nm finFET的过程。这允许27%更高的性能,而14纳米技术相比,少消耗40%的电力。8895年嵌入一个千兆LTE调制解调器,支持五个载波聚合,或5 ca。它提供数据吞吐量1 gbps (Cat.16)。

三星和威瑞森已经完成了5 g无线网络的部署在五个美国城市。这是在准备开始客户5 g技术的试验。试验,4月份开始,包括网络系统,包括使用28-GHz毫米波频段天线和先进的波束形成技术。

GlobalFoundries宣布了可用性45纳米的RF SOI (45 rfsoi)技术提供。这项技术是生产300毫米晶圆。它支持下一代毫米波(mmWave)波束形成应用在未来的5 g基站和智能手机。“5克预计将成为未来十年的主要全球移动通信标准,将迎来一个新的范式的流动性,multi-GBps数据率,安全、低延迟、网络可用性和高的服务质量(QoS),“说Bami Bastani, GlobalFoundries射频业务部门的高级副总裁。“利用SOI领导和大批量生产的悠久历史,我们兴奋地释放最先进的RF SOI技术,将有助于发挥重要作用在5 g设备和网络现实。”

T.J.罗杰斯,创始人、前首席执行官,总裁和董事柏树半导体,该公司最大的个人股东,提起诉讼对他的前公司,指控的利益冲突和其他费用。他还提名两位候选人在柏树的董事会。

克里族终止了计划出售它Wolfspeed权力和射频部门英飞凌科技。克里族和英飞凌无法确定选择地址的国家安全方面的担忧美国外国投资委员会(CFIUS)因此,拟议的交易将被终止。

工厂的工具
宣布任命特的Manocha总裁兼首席执行官。他将接替丹尼McGuirk,去年10月宣布退休。GlobalFoundries Manocha以前是首席执行官,在此期间他还担任主席和副主席半导体产业协会(SIA)。

Coventor现在发现从其先进的半导体制造工艺的研究学报2017年先进光刻。这些研究的结果提供深入了解技术发展的半导体技术。此外,林的研究也使几个报告在学报。

包装和测试
国家仪器(NI)宣布了可用性下一代软件定义无线电(SDR)解决方案的设计、原型设计和部署。产品包括usrp - 2945特别提款权四接收机设备和usrp - 2944高性能2×2多个输入,多个输出(MIMO)特别提款权设备。工程师可以使用特别提款权系列产品从设计过渡到原型设计和部署在一个广泛的无线应用程序通过一个统一的设计流程。

亚洲记者(AC),一个独立的亚洲新闻网站,已经宣布亚洲的第一个年度企业社会责任指数的推出。这一桌是最环保的公司在亚洲地区促进可持续实践。的日月光半导体集团在50指数上市。

芯片封装开发人员镶嵌物控股将会改变它的名字Xperi集团。和纳斯达克股票代码“水稻播种期及秧龄”有效的2月23日。

市场研究
台湾地区/国家晶圆产能21.3%的份额从2015年的21.7%略有下降,当中国第一次成为了全球晶片能力的领导者,据集成电路的见解。台湾仅略高于韩国,这是排在第二位。

北美国的半导体设备制造商发布了18.6亿美元1月份在全球比林斯,根据半。比林斯数字是0.5%低于2016年12月的最后一个18.7亿美元的水平,比2016年1月比林斯高52.3%水平为12.2亿美元。

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