标签:扇出

怎样才能建立一个成功的Multi-Chip模块工厂吗?
通过迈克·麦金太尔- 06年7月,2021 -评论:0

当谈到multi-chip模块(MCM)制造、扇出wafer-level和扇出panel-level包装收到最近很多报道。每个星期,似乎有一个宣布“某某公司”移动他们的产品到扇出wafer-level包装(FOWLP)或扇出panel-level包装(FOPLP)空间。但这些举措带来的挑战没有前女友……»阅读更多

扇出包装选择成长
通过马克LaPedus- 6月17日,2021 -评论:0

芯片制造商,OSATs和研发组织发展中扇出包的下一波对于一系列应用程序,但整理新选项,找到合适的解决方案被证明是一个挑战。扇出是一种组装一个或多个死在一个先进的方案,使芯片与更好的性能和更多的I / o等应用程序计算、物联网、网络和sma……»阅读更多

先进的包装的下一波
通过马克LaPedus——5月20日,2021 -评论:0

包装房子是准备下一波的高级包,使新系统级芯片设计的应用程序。这些先进的软件包包括一系列的技术,如2.5 d / 3 d, chiplets,扇出和system-in-package (SiP)。反过来,这些数组提供的组装和集成选项复杂的死在一个先进的方案,提供芯片成本的…»阅读更多

使芯片封装更可靠
通过马克LaPedus——4月15日,2021 -评论:0

包装房子是准备下一波的IC方案,但这些产品必须被证明是可靠的之前纳入系统。这些包包含一些先进技术,如2.5 d / 3 d, chiplets和扇出,但供应商也正在研究更成熟的新版本包类型,如wirebond和引线框架技术。和以前的产品一样,包装…»阅读更多

先进的包出错
通过埃德·斯珀林- 3月24日,2021 -评论:1

先进的包装可能是最好的前进为大规模改善性能,较低的权力,和不同的形式因素,但它增加了一个全新的问题,更好的理解当摩尔定律,也是创建了一个semi-standardized芯片行业的前进道路。不同的高级包装选项——system-in-package,扇出,2.5 d, 3 d-ic -有…»阅读更多

幸存的高密度先进的包装设计的三个阶段
通过西门子EDA2月24日,2021 -评论:0

高密度的发展先进的包(HDAP)如FOWLP CoWoS,哇是引发融合传统的集成电路设计和集成电路包装设计的世界。为了处理这些不同的衬底场景,流程转换必须发生。论述了HDAP设计的三个阶段,并提供建议如何生存挑战。阅读更多,请点击这里。»阅读更多

WLFO RFMEMS-CMOS的高性能低成本的包装
通过公司- 2月17日,2021 -评论:0

导航之间的权衡性能、尺寸、成本和可靠性可能是一个挑战在考虑集成电路(IC)包装和end-application。微机电系统(MEMS)的集成,单片或异构,引入了另一层次的复杂性,只有最近的一个主要焦点无需多设备包装。Wafer-level扇出(W…»阅读更多

变化的威胁在高级节点,包成长
通过埃德·斯珀林- 12月21日,2020 -评论:0

变化正在成为一个更大的和更复杂的芯片制造商的问题推到下一个节点或加工成越来越密集的高级包,提高单个设备的功能性和可靠性的担忧,甚至整个系统。在过去,几乎所有的担忧集中在制造过程变化。印在一块硅不…»阅读更多

新RDL-First流行扇出Wafer-Level包过程Chip-to-Wafer焊接技术
通过公司12月- 16,2020 -评论:0

扇出Wafer-Level插入器包包装(流行)设计有许多优点为移动应用,如低功耗、短信号通路,小形状系数和异构集成描述。此外,它可以应用于各种包装平台,包括流行、System-in-Package (SiP)和芯片规模包(CSP)。这些优势来自先进的强度…»阅读更多

一个适于生产的扇出解决方案——ASE中心芯片上
通过日月光半导体12月- 16,2020 -评论:0

第五代(5克)无线系统普及将推动整体发展成高性能和异构集成形式。高I / O密度和高性能包,有前途的扇出芯片在衬底(中心)提供了一个解决方案来匹配外包半导体装配和测试(OSAT)能力。中心确定扇出(FO)包,可f……»阅读更多

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