如何中心芯片生产线,取得了超过99%的成立,和高集成的复杂性达到5 g时代的来满足日益增长的需求。
第五代(5克)无线系统普及将推动整体发展成高性能和异构集成形式。高I / O密度和高性能包,有前途的扇出芯片在衬底(中心)提供了一个解决方案来匹配外包半导体装配和测试(OSAT)能力。中心确定扇出(FO)包,可以抛球阵列基板芯片,和中心结构芯片与芯片之间的短距离multi-chips少multi-chip插入器系统结构,具有潜在的异构集成芯片和功能在一个包中。异构集成指分别制成部件的集成到一个更高层次的组装。在这项研究中,生产的产量超过99%,中心芯片上包了。降低晶片翘曲的影响,我们使用三维有限元法(3维有限元)和先进的计量分析仪(aMA)可以找到最优厚度和热膨胀系数(CTE)玻璃载体。关于中心芯片上设备,大型包与8复杂芯片特别是细线RDL和不同大小已成功开发μbump关节内结构。在可靠性检查,测试车辆也通过了电平和IPC资格,分别。最后,ASE已成功建立了中心芯片生产线,并进一步发展它在更大的区域,和高集成的复杂性,以满足日益增长的需求5 g的时代。
发表于:2020年IEEE 70电子组件和技术会议(ECTC)
作者:Jen-Kuang方,黄Min-Lung Hung-Jung涂,Wen-Long Lu和彭杨,所有从企业研发中心,先进半导体工程公司,高雄,台湾(之)
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