了解FinFET流程与各种鳍削减的方法来创建一个3 d模型FinFET SRAM设备。
在5 nm FinFET技术和超越,SRAM单元尺寸减少到6需要跟踪的翅片间距24海里。鳍人口减少是强制性的,使区域扩展,但它变得具有挑战性的小场地。在我们的研究的第一部分,我们模拟一个FinFET流程与各种鳍剪方法获得FinFET存储器装置的三维模型。布局影响依赖硅和过程non-idealities特征在第二部分和用于校准的3 d模型。在我们工作的第三部分,执行过程中灵敏度分析比较叠加的影响和CD变化各种鳍削减选项。
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