BEOL集成为1.5 nm节点和超越


当我们接近1.5 nm节点,将新的BEOL设备集成挑战。这些挑战包括需要较小的金属球,以及对新流程的支持。流程修改提高钢筋混凝土性能,减少边缘位置错误,并使具有挑战性的制造过程都是必需的。为应对这些挑战,我们调查了th…»阅读更多

自对准鳍削减去年模式方案鳍数组24海里音高和更远的地方


在5 nm FinFET技术和超越,SRAM单元尺寸减少到6需要跟踪的翅片间距24海里。鳍人口减少是强制性的,使区域扩展,但它变得具有挑战性的小场地。在我们的研究的第一部分,我们模拟一个FinFET流程与各种鳍剪方法获得FinFET存储器装置的三维模型。布局影响依赖硅和公关……»阅读更多

新的模式选项新兴


有几个工厂工具厂商推出下一波的自对准模式技术在转向新设备在10/7nm和超越。应用材料、林研究和电话开发自对准技术是基于各种各样的新方法。最新的方法是自对准模式技术与多色材料计划,这对我们的设计……»阅读更多

在10/7nm利差变化


变化在不同的生产设备变得越来越麻烦的芯片制造商推动10/7nm和超越。过程变化是一个众所周知的现象在先进的节点。但是一些实际上是由于设备的变化完全相同的模型从相同的供应商。通常这将远远低于雷达的半导体行业。但当t…»阅读更多

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