自对准鳍削减去年模式方案鳍数组24海里音高和更远的地方


在5 nm FinFET技术和超越,SRAM单元尺寸减少到6需要跟踪的翅片间距24海里。鳍人口减少是强制性的,使区域扩展,但它变得具有挑战性的小场地。在我们的研究的第一部分,我们模拟一个FinFET流程与各种鳍剪方法获得FinFET存储器装置的三维模型。布局影响依赖硅和公关……»阅读更多

再造FinFET的


半导体行业仍处于早期阶段的[getkc id = " 185 " kc_name = " finFET "]时代,但[getkc id = " 26 " kc_name =“晶体管”)技术已经正在经历一个戏剧性的变化。鱼翅本身进行了改造。在第一代finFETs,鳍是相对较短和锥形。预计下一波的鳍更高,更薄,更重新…»阅读更多

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