使用一个外部检验系统和故障检测和分类软件增加沛富基体屈服。
随着技术的节点收缩,最终用户在设计系统中每个芯片元素是针对一个特定的技术和制造节点。而设计芯片的功能来解决特定的技术节点优化芯片的性能,功能,性能是有代价的:需要额外的芯片设计,开发,加工,组装,使一个完整的系统解决方案。
在过去,后端包装房子multi-chip模块(MCM)放置各种包装印刷电路板上芯片。今天的先进包装空间,专业公司使用一个味之素累积电影(沛富)衬底的方法结合各种芯片到更小的外形相对应。作为推动增加密度较小multi-chip模块包增加,过程成本上升。随着成本上升,周期需要对更多的再分配过程沛富基板层(RDL)也会增加。因此,需要后端包装房屋维护过程控制和检测缺陷将是类似于前端晶圆厂遇到了在1990年代。
目前,基板100µm 150µm厚。与前端半导体,摩尔定律与衬底包装先进技术发挥作用。线宽/互联会缩水,需要能够控制和检测反馈将增长。
十字线暴露在non-ridged衬底本身需要更好地控制旋转,缩放、正交、拓扑变化的补偿。一个解决方案是使用一个前馈adaptive-shot技术解决过程变化,模具放置错误,在尺寸上不稳定的材料。这种解决方案使用并行die-placement测量过程,而先进的分析提供一种方法来平衡效率和产量。
光刻工具可以测量位移误差,但测量慢,通常采取尽可能多的时间进行曝光。但移动到一个单独的测量自动化检测系统和喂养那些修正光刻系统吞吐量的两倍。此外,产生软件增加了预测收益率分析外部进行测量和校正过程,增加模具的数量包括在接触到用户指定的收益率值字段。
检测缺陷的能力在整个衬底制造过程将增长比例缩小和MCM复杂度的增加。只执行一个历史性的行尾,即将离任的质量检验将筛查高危模块的不足。因此,使用内联过程监控检测缺陷对高端基板将成为强制性的。
让我们考虑一下沛富基板的制造过程。如果一个粒子接触沛富衬底在干燥的薄膜层合步骤中,它可能导致RDL打开缺陷在镀铜。因为这个缺陷将不会被探测到,直到after-etch检查的步骤,需要识别缺陷早些时候在这个过程中成为一个优先级。如果早期发现缺陷,可以进行返工或过程缓解确定缺陷的来源,将缺陷消灭在萌芽状态。
随着制造工艺的成熟,需要tool-level故障检测控制生长,并能对缺陷或关闭警惕的工具是必要的。的复杂性和临界后端包装设备将继续增加,并有能力秒/ GEM-compliant协议将是至关重要的,适当的工厂自动化和跟踪。
与当前景观和高端衬底制造过程,结合软件设计故障检测和分类(FDC)控制将会实现。实时FDC软件检测到异常之前创建的废物和帮助识别故障时间浪费加工过程之前的配方。与实时FDC软件故障会自动减少故障排除时间。同时,运行时FDC软件提供数据洞察力,使工具警报提醒工厂工程师潜在过程漂移。这样一个FDC平台提供实时和运行时FDC解决方案无论过程漂移需要采取行动。
RDL数量的增长和整个加工循环时间增加,工艺条件的前馈和反馈MCM基板的形成需要保持输出。压力或弓测量衬底将先进的过程控制解决方案,通过光刻条件反馈到运行的控制器计算条件反馈到铜沉积工具和前馈步进。
高端沛富衬底市场将继续增长,面临许多相同的困难,前端晶圆厂面临着过去。与当前的供应链挑战,需要保持一个常数供应的产品变成了一个优先级,导致更好的过程控制的需要,更好的缺陷检测和故障检测。通过结合FDC软件和一个单独的自动化检测系统,后端晶圆厂可显著提高产量。
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