没有人确切知道接下来会发生什么,这不是一件好事。
计划正在制定推出的多种类型的gate-all-around场效应晶体管和先进的包装选择。现在的问题是,哪些将达到临界质量,因为世界上没有足够的筹码来支持他们有利可图。
FinFETs,英特尔在22纳米,首次引入的是精疲力竭了。当他们将生存10/7nm,甚至7/5nm静态泄漏再次成为一个问题,和生产的能力越来越高鳍是一个难以实施的策略。接下来仍有待观察,因为发展的成本gate-all-around nanosheets或水平或垂直纳米线是昂贵的。贵公司设计的芯片,但是是非常昂贵的铸造厂购买生产设备。
这是半导体行业现在坐的地方。俯瞰悬崖,试图弄清楚它是否应该建一座桥到下一个技术,开发一种不同的方式下node-possibly使用定向自组装或其他factory-grown技术如碳纳米管FETs-or是否支持完全和推到一个或多个先进的包装方法。所有这些方法有优点和缺点。
所有这些方法都是昂贵的,这个行业不能支持所有的他们。此外,他们将导致供应链中断,它经过精心的优化在几十年的线性发展和专业化,可以追溯到古典比例的日子。所以任何一个路径,会有影响。
有两个可能的场景,可以在这里展开。首先,大芯片制造商可以咬紧牙关,推动在扩展新类型的晶体管。三星铸造已经宣布引进nanosheet 3纳米场效应晶体管。问题是足够的三星公司将遵循,以及是否投资的系统公司盈利可以利用自己的智能手机和其他先进的电子技术,直到它足够的铸造客户补充道。
不清楚其他芯片制造商正朝着那个方向,然而。苹果已经选择了先进的包装,目前尚不清楚推到3海里是要购买足够重要改进成本或性能保证改变节点每三或四年。这使得IBM和英特尔服务器芯片,和2.5 d和3 d可以提供更高的性能/瓦特和每一美元的投资比一个节点收缩。
然而,这并不一定清楚的东西。选择先进的包装的数量正在增加,而不是减少。此外,几乎所有先进的包装方法,到目前为止,已经定制了一个特定的应用程序。正在努力改变这种情况,特别是chiplets,但到目前为止,这不是明显的努力会成功的。明确的是,先进的包装提供了一些选项,混合和匹配的组件,为一个潜在的长期更负担得起的高性能芯片。
Imec、英特尔、IBM、台积电、GlobalFoundries,三星,联电,主要OSATs都支持先进的包装作为一个前进道路。它可能不是唯一的前进道路,但它是越来越像一个可持续发展的选择。还有一些通配符扔进这一切从系统公司,如谷歌,亚马逊,Facebook和微软,开发自己的定制芯片架构。
所以在2025年领先的芯片会是什么样子?整个行业现在很难回答这个问题。但是时间越长想出一个坚定的答案,公司越有可能拖脚在新技术的采用。这是对谁都不是好事。
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
留下一个回复