大部分的能量laser-produced等离子会以热能的形式浪费掉,这是很多热量来摆脱。
已经清楚的很长一段时间,EUV光刻来源将是相当低效。laser-produced等离子体源(垂直距离)的概念涉及到加热液滴的金属锡高能激光产生等离子体。只有一小部分的能量激光将转换为光,而不是热,不到1%的等离子体发出的光会在EUV波段。
销售部门总经理Tatsuo Enami Gigaphoton,估计公司的计划生产500 W EUV源需要40千瓦二氧化碳驱动激光;其他来源显示这种力量估计可能过于乐观。
二氧化碳激光本身是不超过约20%有效,在最好的。此外,基础需要能源气体和热量管理pre-pulse激光如果使用一个,等离子体的控制,等等。最终,Enami估计总电力需求/ EUV步进之间可能是500千瓦和1兆瓦,其中大部分将疲惫的废热。
这是一个大量的废热。开玩笑的潜在“硅冰川”工厂除了集群在阿拉斯加和斯堪的那维亚,乍一看似乎EUV系统将面临严重的热管理挑战。不过,事实证明,彼得•Csatary M + W集团负责人对全球技术,估计EUV来源只添加几个百分点的力量和热量排放要求的工厂。虽然冷却需求取决于国家和气候,他说,冷却系统通常超大号的,允许一些保证金等突发事件的新工艺设备。他不期待重大变化整体工厂需要适应EUV降温。
然而,光刻领域特别是尚未过去主要热发生器。典型ArF激光DUV光刻生产约120 W的输出功率,以更有效的输入输出比例。EUV光刻细胞可能会需要更多的冷却水和更大的管道。
同样重要的是要记住,冷却的EUV暴露源是一个单独的问题曝光模块本身的热管理。光学分划板,晶片都必须保持在真空下,所有三个元素的温度必须控制在一定程度的一小部分为了维护所需的图像分辨率。这是一个更困难的挑战,甚至建筑冰川上的工厂不能解决。
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同样重要的是要注意一些其他的细节。EUV光源不仅生成EUV,它还生成DUV和红外(IR)的波长,这也导致加热。极其wavelength-efficient ArF激光,可以说,只生产193纳米,所以晶片的总功率也更少。EUV系统也必须在真空下,所以真空泵必须在所有时间,和冷却。