Inpria CEO谈到EUV抗拒挑战
首席执行官安德鲁•格伦维尔抵制制造商Inpria,坐下来与半导体工程谈论多亏极端紫外线光刻技术(EUV)。以下是摘录的谈话。
SE:光阻光刻的关键部分。抗拒是感光材料。它们形成表面暴露在光模式。对EUV,他们是至关重要的。的主要区别是什么传统化学放大抗拒(汽车)和金属氧化物抗拒EUV ?
格伦维尔:Inpria金属氧化物的光阻是建立在三个互补的设计原则,综合考虑提供改变游戏规则的EUVL的性能相对于汽车。首先,我们的反对是基于氧化锡结构捕获EUV光子~ 5 x效率比传统的抵制,从而减少引起的变化放大。其次,考虑到他们更高的吸收,我们的材料是由5 x小分子构建模块,同时避免需要放大,引发大量抵抗模糊和降低分辨率。最后,通过创建模式在金属氧化物、腐蚀电阻是10 - 100 x的传统的抵制,使大量过程简化和改进过程窗口。
SE:为什么我们需要金属氧化物抗拒EUV ?汽车运行的蒸汽吗?
格伦维尔:人们普遍承认,汽车材料正在努力实现目标所需的模式,特别是在一个窗口可制造的过程。为了避免模式崩溃,必须抵制薄,但不足导致腐蚀阻力和可变性由于缺乏吸光度。金属氧化物材料提供了一个解决这些约束如前所述,未来的一代又一代的EUVL演示了可扩展性。
SE: EUV,该行业一直在谈论打破所谓RLS贸易。这包括决议,直线边缘粗糙度和敏感性。很难得到好的同时RLS EUV抗拒。RLS呢?
格伦维尔:简而言之,Inpria材料已被证明有明显较大的过程与改进的RLS windows,这就是巨大的红利之前从hardmask-like抵抗腐蚀。Imec显示一些工作在最近的EUVL研讨会。
SE: Inpria显示20 mj / cm2抗拒,对吧?是足够的EUV在生产吗?
格伦维尔:是的,我们已经证明了20 mj / cm2 16 nm惠普。这是充分的介绍,尤其是考虑到最近的改进在ASML权力来源证明。我们有一个路线图继续改进RLS,和材料的管道来支持这个路线图。为一个独立的成像与汽车参考和比较,看到幻灯片21这个甲板,16 nm惠普和13海里惠普。
SE: l抗拒的问题吗?有解决方案吗?
格伦维尔:是的,我是一个传统抵制问题。通常的权衡涉及一个)更高的剂量,或b)诱导模糊平滑图像的分辨率。我们在高分辨率的方法证明了改进的l。
SE: 250瓦电源足够与今天的拒绝吗?我们可能需要更多的剂量。所以我们不需要源超越250瓦?
格伦维尔:250瓦似乎是足够了,但是细节很多依赖层和模式的具体要求。
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这次面试没有提供很多见解。如20 mj何时准备好如果目前只有31日乔丹在市场喜欢的另一篇文章中提到的吗?
嗨。对不起,好问题。我忘了添加一个链接Inpria的路线图。在现在的问答。去滑21:http://staticwww.asml.com/doclib/investor/investor_day/asml_20161031_04_Investor_Day_2016_EUV_and_its_Business_Opportunity_HMeiling.pdf
Sn-based抵抗出气显然uncleanable。