普渡大学的研究人员发表了一篇题为“具有埋门结构的超薄氧化铟晶体管的创纪录RF性能”的新技术论文，并获得了2022年器件研究会议最佳学生论文奖(DRC 2022于6月举行)。
根据普渡大学新闻发布会上在这项工作中，首次描述了具有高工作频率的氧化铟晶体管的射频(RF)性能。一个新的记录高凌日频率(fT报道了在非晶金属氧化物半导体晶体管中同时具有较高的最大功率增益频率(f马克斯)。”
找到这里是技术文件．2022年8月出版。
引用本文:A. Charnas, J. Anderson, J. Zhang, D. Zheng, D. Weinstein和P. D. Ye，“具有埋栅结构的超薄氧化铟晶体管的射频性能记录”，2022年器件研究会议，2022,pp. 1-2, doi: 10.1109/DRC55272.2022.9855782。
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