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类别:完善流程

类别:物联网、安全与汽车

汽车MEMS加速度计设计验证:一个真实的例子
通过Arnaud父- 2022年12月15日-意见:0

标准有限元(FE)模型，特别是那些包含多个物理域的模型，由包含大量自由度(DoF)的设备的详细表示组成。设计中的自由度是描述设备的运动或状态所需的自变量或参数的数量。一般来说，自由度的数量越多…»阅读更多

创建气隙以降低FEOL中的寄生电容
通过Sumant Sarkar- 2022年11月17日-评论:0

减小栅极金属和晶体管源/漏触点之间的寄生电容可以减少器件开关延迟。降低寄生电容的一种方法是降低栅极和源/漏极之间材料层的有效介电常数。这可以通过在该位置的介电材料中创建气隙来实现。这种类型的工作…»阅读更多

深入了解先进的DRAM电容器模式:使用虚拟制造的工艺窗口评估
通过Qingpeng王- 2022年10月20日-评论:0

随着设备的不断扩展，由于较小的特征尺寸和较大的工艺步骤可变性，工艺窗口变得越来越窄[1]。在半导体开发的研发阶段，一个关键的任务是选择一个具有较大工艺窗口的良好集成方案。在晶圆测试数据有限的情况下，评估不同集成方案的制程窗口可以…»阅读更多

线边缘粗糙度(LER)如何影响高级节点的半导体性能?
通过陈宇德- 2022年9月26日-评论:0

在高级节点[1]上，BEOL金属线RC延迟已成为限制芯片性能的主要因素。较小的金属线间距需要更窄的线CD和线与线之间的间距，这就引入了更高的金属线电阻和线与线之间的电容。图1演示了这一点，其中显示了不同BEOL金属之间的线电阻与线CD的模拟。即使没有……»阅读更多

三维NAND虚拟过程故障诊断与研究
通过布雷特劳- 2022年8月18日-评论:0

现代半导体工艺极其复杂，涉及数千个相互作用的单独工艺步骤。在这些过程步骤的开发过程中，上游和下游过程模块之间不可预见的消极交互的形式经常会遇到障碍和障碍。这些障碍会造成开发周期的长时间延迟，并增加成本. ...»阅读更多

量子计算机与CMOS半导体:回顾与未来预测
通过迈克尔Hargrove- 2022年6月16日-评论:0

随着量子计算的出现，对外围容错逻辑控制电路的需求达到了新的高度。在经典计算中，信息的单位是“1”或“0”。在量子计算机中，信息的单位是一个量子比特，它可以被描述为“0”、“1”或这两个值的叠加(称为“叠加态”)。控制c…»阅读更多

顶部还有很多空间:在低功耗计算应用中想象小型化机电开关
通过Gerold Schropfer- 2022年5月19日-意见:0

第一代计算机是用机电元件制造的，不同于今天的现代电子系统。艾伦·图灵的密码分析乘法器和康拉德·祖泽的Z2都是在20世纪上半叶发明和建造的，是有史以来最早建造的计算机之一。机电开关和继电器在这些机器中执行逻辑操作。即使在电脑之后……»阅读更多

BEOL集成1.5nm及以上节点
通过Assawer苏苏- 2022年4月25日-意见:0

当我们接近1.5nm节点及更远的节点时，新的BEOL器件集成挑战将会出现。这些挑战包括需要更小的金属节距，以及对新工艺流程的支持。工艺修改，以提高钢筋混凝土性能，减少边缘放置误差，并使具有挑战性的制造工艺都是必需的。为了应对这些挑战，我们研究了…»阅读更多

利用虚拟实验设计加速半导体工艺开发
通过Qingpeng王- 2022年3月17日-意见:0

实验设计(DOE)是半导体工程研究与开发中的一个重要概念。do是一组实验，用于探索实验变量的敏感性及其对最终设备性能的影响。设计良好的DOE可以帮助工程师通过有限数量的实验晶圆运行实现半导体器件的目标性能。然而，在……»阅读更多

化学机械平面化过程中图样加载对BEOL产率和可靠性的影响
通过泰妍(TY)哦- 2022年1月20日-意见:0

在许多存储器和逻辑器件的半导体加工过程中，化学机械平面化(CMP)是必不可少的。CMP用于在半导体制造过程中创建平面表面并实现均匀的层厚度，并在下一个加工步骤之前优化设备拓扑。不幸的是，半导体器件经过CMP后，其表面并不均匀，这是由于不同的re…»阅读更多

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