这个内存测试系统与STT-MRAMs电磁铁是一个关键的测试工具。
第一次,我们已经成功地开发了一个新的内存测试系统在wafer-level STT-MRAM电磁铁结合记忆测试系统和300毫米晶圆探测器。发达记忆测试的系统,一个平面外磁场达到±800吨可以应用在10 x 10平方毫米300毫米晶圆与分布的不到2.5%。我们证明了电磁铁可以应用足够大的磁场对磁性免疫属性使用2 mb STT-MRAM STT-MRAM;磁场的依赖pass-bit率为“0”或“1”状态,读/写什穆,“0”或“1”保留。所有的属性可以被解释为对STT-MRAM一般理论。发达记忆测试系统STT-MRAMs电磁铁是一个关键的测试工具,这将有助于增加STT-MRAM测试效率以及STT-MRAM敏感的应用领域扩大到外部磁场。
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