五是什么问题,在学报在雷达下吗?
像往常一样,最近有先进光刻会议是一个忙,如果不是压倒性的,事件。在事件中,通常有没完没了的演讲主题,如设计、模式、计量、光阻。
过去几年,一个离开了事件的问题多于答案。在今年的事件,最明显的问题是(现在仍然是)明确:将极端紫外线(EUV)光刻发生7纳米或者?答案是:仍有待确定。
除了明显的主题,有五个问题,和问题,下了雷达相比。这些只是一些问题看在未来几个月或几年:
1。薄膜来了!薄膜来了!
显然,EUV和电源是一个大问题。但有得病的专家马克·大卫·利文森发现最新的,最有趣的,EUV-ASML宣布他们的消息正在进入的EUV薄膜业务。
从原来的位置,这是一个反向ASML曾经说过不想在这个行业。现在,似乎没有选择。EUV薄膜是一个必要的部分难题。芯片制造商不希望颗粒落在一个昂贵的面具的EUV流。
“如果ASML成功商业化EUV薄膜将EUVL收养了一个重要的障碍。Levenson其他挑战等待。在一篇博客中写道在半导体工程。
2。检查细节
芯片制造商检查EUV掩如何?有一段时间,业界称这并不需要一个光波长EUV掩的检验工具。
现在,该行业可以将就用当前光学工具检查EUV掩。但在某些时候,optical-based检查可能会耗尽体力,促使另一种技术的必要性。电子束是一个潜在的候选人。
现在,该行业却唱着不同的曲子。光刻技术工程专家马克·菲利普斯从英特尔敦促行业开发一个光化性EUV掩模检查工具。这个问题?它需要数百万美元的研发,几年中,开发这样一个系统。并将产业基金工具供应商做?
3所示。DSA触及(大)减速带?
在最后几个有事件,有很多炒作的定向自组装(DSA)。在过去的这个事件,有大量的论文。但是现在,这个问题开始浮出水面。问题是将DSA 7点找个地方和/或5 nm吗?
与DSA和之前一样,最大的问题仍然是缺陷。行业已找到方法来减轻流程流中的缺陷。但是仍然缺乏合适的计量工具在市场上找到的所有问题。
最初,DSA在DRAM流可能会找到一种方法1 xnm节点。但正如一位芯片制造商所说,DSA正在与它的竞争对手technology-self-aligned双/四模式。现在,它不是很难找出哪些技术更成熟。
4所示。新多波束的努力吗?
多波束电子束直写光刻技术的应用还有很长的路从实现大规模生产。
不过,有几个努力关注的领域。首先,Mapper光刻正在循序渐进阿尔法多波束的工具。
其次,讨论IMS纳米加工方法相比,其光掩模的多波束工具生产的状态。这并不让人意外,但有趣的是,IMS讨论什么需要开发一个多波束直写的工具。这需要一个电力需求大幅跳涨,当然,资金。也许IMS是其第一球的想法。
和报道最近KLA-Tencor将其多波束项目束之高阁。但技术,被称为Rebl,仍然活着。台湾半导体制造有限公司(台积电)带头作用为技术找到一个合适的买家,根据燃烧林,铸造巨头研发副总裁。请继续关注。
5。自然选择
英特尔提出新的patterning-like选项—选择性沉积。还在研发阶段,选择性沉积可用于选择性地沉积材料,即金属对金属和电介质在电介质,在设备上。
迄今为止,选择性沉积是在实验室里,主要是在大学。就其本身而言,英特尔希望产生兴趣的行业技术。它希望工厂工具厂商将开始投资,并把技术、羽翼未丰的技术。陪审团还。
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