ASML进入薄膜业务!
ASML宣布他们将薄膜业务在2月25日下午2点在圣何塞有先进光刻技术研讨会。这些不是你的花园各种塑料薄膜薄膜,请注意,而是EUV 50 nm厚的多晶硅薄膜,制成的薄膜拉伸帧可以连接,删除并接了EUV掩上。卡门Zoldesi博士ASML显示在一个特殊的,几乎没有打招呼就纸在过去的EUVL研讨会会议ASML已成功地构建务实细致的EUV掩膜。她甚至带了一个,导致一群希望石版家排队手机拍照的事情似乎不可能的前一年。
日圆在2014年学报先进光刻技术研讨会,安东尼的台积电震惊了社区宣布对EUV掩膜将是一个“必要操作”,以避免重复缺陷从粒子落在光秃秃的面具在曝光。自13.5纳米固体材料、辐射迅速吸收薄膜必须非常薄,足够大的覆盖完整的面具和强劲,足以应对。当时,最好的候选人是多晶硅的~ 1平方厘米大小的电影,它吸收> 15%的入射辐射。不过,如果落在缺陷引起的缺陷,影响芯片产量、EUVL采用将推迟到他们停了下来。
输入在ASML Zoldesi和她的团队。在第二年,他们学会了如何让大统一,很薄,多晶硅的独立电影甚至外套他们薄层材料,提高了散热,附加帧,反过来可以连接和从EUV掩而不会破坏任何东西。薄膜可拆卸并remountable很重要,因为EUVL十字线制造商和用户想要检查面罩使用电子束,high-NA DUV或光化性工具,根据ASML丹·史密斯。
原型结构在2月25日似乎满足要求。它涵盖了一个完整的面具,传递85%的EUV将来(90%)不扭曲形象和生存EUV扫描仪操作——包括热循环和十字线交流从大气压力和真空。史密斯表示,ASML意味着使薄膜可用EUVL客户以及机器上安装的帖子EUVL面具和其他机器安装和de-mount面具上的薄膜。如果成功地商业化EUV ASML薄膜将EUVL收养了一个重要的障碍。等待其他挑战。
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光刻的世界充满新的机遇……。