东芝困境;利器;林的DNA;半导体的回顾。
工厂的工具
林的研究本周举行的分析师事件。公司表示,行业正处于一个内存繁荣,包括DRAM和3 d NAND闪存。分析师根据Amit Daryanani加拿大皇家银行,这里是一个大外卖的事件:“WFE相比则显得更具有可持续性的记忆花部分之前由于终端市场司机如大数据、自动化、和AI导致指数数据增长。因此,LRCX期望的NAND花(的)未来五年内增加了b b从50美元到70美元。”
在另一项声明中,林铺开了乌鸦座边缘控制技术在其Kiyo导线腐蚀产品。乌鸦能源公司解决一个大问题。“现在,最后一个前沿是提高产量在晶片的边缘——外10毫米左右,化学、物理、甚至热断层只是更难控制,”据博客从林。乌鸦能源公司解决这个问题。“乌鸦座的新技术提供一种新的功能来消除极端边缘不连续和增强边缘的性能,”根据博客。“它提供的能力调整等离子体鞘边缘产生一个常数,用户定义的腐蚀速率和离子角。”
最后,林正在进了一步生命科学领域。NanoString技术和林已经宣布了一项战略合作开发NanoString专有的新一代测序平台。根据,林将提供至多5000万美元的资金用于开发的成本和监管部门的批准在开发期间预计将持续大约三年,以及先进的工程和技术支持。林将获得保证购买一百万股NanoString每股普通股16.75美元,以及皇室所有产品开发的合作。NanoString保留所有权利商业化产品,双方将共享联合开发的知识产权的所有权。
东京电子(电话)最近录得的结果。季度销售额增长。该公司预测,整个晶圆工厂设备(WFE)市场在2017年将增长10%,由于3 d NAND和逻辑。
总裁大卫·安德森半美洲、提出了一些亮点在最近半导体西方贸易展。点击这里阅读对其中的一些亮点。
半确认其支持联合行业/政府合作推进欧洲制造业政策。签署的一份联合声明半129年欧洲和其他制造业协会呼吁重新致力于制造业的发展和实施一个强大的行动计划。半已经加入的吸引力欧洲委员会,欧洲议会和欧盟委员会决定和执行一项雄心勃勃的产业战略与现实的时间表。
芯片制造商
更多的问题东芝。该公司计划将其内存业务出售给一个财团。然后,西部数据公司(WDC)、东芝的工厂合作伙伴,不是联盟的一部分,现在试图阻止该交易。本周,东芝提起它的结果。“东芝首席执行官说他们现在在谈判富士康和WDC除了“首选投标人”组,表明(出售)停滞不前INCJ /贝恩/ SK海力士财团," RBC Daryanani说。“东芝管理指出它“可能”与非销售在3月底前完成虽然时间表是很困难的。”
GlobalFoundries有展示了硅功能2.5 d的包装解决方案的14 nm finFET技术专用集成电路(asic)。2.5 d ASIC的解决方案包括一个缝插入器能力克服光刻技术的局限性和两个每秒(2真沸点)多车道HBM2 PHY,合作开发的Rambus。该解决方案将被集成在公司的下一代7海里finFET技术。
米氏富士通半导体基于日本的纯粹铸造公司已经宣布计划开发一个基于40纳米技术使用汽车平台硅存储技术的IP。米氏富士通半导体的子公司富士通半导体。联华电子是一个小股东。
三星宣布了一项1-terabit 3 d NAND闪存设备明年,预计可用。据报道96 -层设备,芯片将使2 tb的内存由叠加在一个包16 1-Tbit死亡。与此同时,基于现有64 -层3 d NAND芯片,三星是抽样的行业首个16 tb NGSFF的固态硬盘(SSD)驱动器。此外,三星推出了其第一Z-SSD产品。
英特尔推出了几个ssd数据中心和其他应用程序。它们包括英特尔ssd的所谓的“统治者”的形式因素,使一个全新的形式因素1 pb的存储在一个1 u服务器机架。它还包括公司的双端口根据其Optane ssd和3 d NAND芯片。
包装和测试
国家仪器(NI)有发布了一个新的家庭远程控制和高性能PXI总线扩展模块和PCI Express创3连接。PCI Express创3技术提供了增加带宽等数据密集型应用程序是至关重要的5 g细胞的研究中,射频记录和回放,现今高度依赖信道和数据采集。
先进半导体工程(ASE)最近公布了结果2017年第二季度。销售额同比增长了5%。
市场研究
根据Strategy Analytics,全球智能手机出货量每年增长6%。在2017年第二季度达到3.6亿部。三星与22%的全球智能手机份额,保持第一的位置苹果降至11%的市场份额。中国的小米每年上涨58%,首次重返前五名的排名。
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