有100亿中金属层之间通过芯片,通过缺陷可以渲染整个芯片和一个无用的。
由康妮邓肯
考虑到当今先进的芯片可以包含数以十亿计的晶体管,60英里的铜线和100亿之间垂直连接金属层,表现出来的复杂性带来的挑战和潜在的陷阱这种级别的令人难以置信。地平线上的一个主要问题在20 nm,下面是空洞形成的威胁在垂直互联通常称为通过。
提供以下两个图表,NVIDIA的约翰·陈在2011年IMEC技术论坛来说明如何通过缺陷可以渲染整个芯片无用。下面的图表显示芯片特征尺寸缩小,使用单一的金属层之间通过增加。从历史上看,以确保芯片可靠性和收益率,芯片制造商与多个通过构建冗余,这意味着电子可以不止一个芯片上的两个点之间的路径。但激烈竞争的房地产在死亡,防止模具尺寸大得多,单通过正变得越来越普遍。
通过依赖单一的风险是,它不会留下任何的误差——每数百万的缺陷单通过芯片可以使它毫无用处。第二个图表细节这一威胁。这表明随着芯片功能,通过可能导致重大缺陷产生的损失。投射到20 nm,缺陷水平需要< 1 DPPB,这是不到一个缺陷每十亿通过。如果规范并不满足,先进的集成电路制造商风险损失惊人的30%的收益率。
应用的最近宣布Endura琥珀周围性血管疾病系统,这个场景被“回流”re-written-eliminating排尿铜分解成通过从顶部,底部的孔大小开口小200原子容易缩小。通过打开狭窄的区域,通过结构可以掐掉,并通过自下而上的铜流入,新系统可以完美,完全填充结构,使零缺点率可能第一次导致可靠性高和产量。
图表来源:NVIDIA公司2011
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