标签:周围性血管疾病

沉积和蚀刻技术来降低半导体金属线的阻力
通过蒂莫西·杨4月- 20,2023 -评论:0

铜的电阻率取决于它的晶体结构,孔隙体积,晶界和材料接口不匹配,它变得越来越重要的在较小的尺度上。铜的形成(铜)电线通常是由二氧化硅材料蚀刻槽模式在性能使用沟腐蚀过程,随后通过波纹与铜填充沟流。不幸的是,这种冰毒……»阅读更多

打破了2 nm障碍
通过马克LaPedus- 2月18日,2021 -评论:4

芯片制造商继续进步与晶体管技术的最新流程节点,但这些结构中的互联正在努力跟上。芯片行业正在几个技术解决互连的瓶颈,但许多这些解决方案还在研发,不得出现有一段时间了,可能直到2 nm,预计t…»阅读更多

构建一个MRAM数组
通过凯瑟琳德比郡- 10月17日,2019 -评论:2

MRAM也逐渐吸引各种各样的设计作为一个中层类型的内存,但为什么花了这么长时间才给市场带来该内存。一个典型的磁阻的RAM架构基于CoFeB磁层,采用隧道势垒。参考层应该零净磁化,以确保它不影响免费躺的方向……»阅读更多

可变性和成本控制在3海里
通过埃德·斯珀林——5月22日,2019 -评论:1

执行副总裁兼首席技术官理查德•Gottscho林研究,坐下来与半导体工程讨论如何利用更多的数据从传感器制造设备,迁移到新流程节点,啤酒和材料的发展,对控制成本有很大的影响。以下是摘录的谈话。SE: int添加多个传感器……»阅读更多

新节点、材料、记忆
通过埃德·斯珀林2018年2月- 15(-评论:0

艾莉Yieh,先进的产品技术发展的副总裁和总经理在[getentity id = " 22817 " e_name =“应用材料公司”),和公司的负责人Maydan技术中心,坐下来与半导体工程讨论挑战,改变和解决方案在高级节点和新的应用程序。以下是摘录的谈话。SE: w到底能走多远…»阅读更多

四个铸造厂MRAM回来
通过马克LaPedus8月23日,2017 -评论:4

四大铸造厂计划提供MRAM作为嵌入式内存解决方案在今年或明年,为最终可能被证明是一个改变下一代存储技术。GlobalFoundries,三星,台积电和联华电子计划开始提供自旋转矩磁阻的RAM (ST-MRAM或STT-MRAM)作为替代或替换也不闪,可能开始……»阅读更多

英特尔在包
通过埃德·斯珀林2017年5月- 08 -评论:1

高级研究员马克•波尔和英特尔的流程架构和集成主管,坐下来与半导体工程讨论日益增长的重要性multi-chip集成在一个包,越来越强调异质性,期望在7和5 nm。下面是采访的摘录。SE:有一个走向更多的异构性的设计。英特尔显然……»阅读更多

使磁隧道结阵列处理为嵌入式STT MRAM
通过Mahendra Pakala——4月24日,2017 -评论:0

半导体行业正进入一个新时代的新一代记忆技术,与几个主要的词形变化。在这些磁性随机存取存储器(MRAM)的出现。几个帖子,我将提供驱动采用MRAM是什么背景,突出一些最初的挑战和讨论进展使STT MRAM建立。如今,一个典型的m…»阅读更多

电镀IC包
通过马克LaPedus4月- 10,2017 -评论:2

电化学沉积(ECD)集成电路包装设备市场升温2.5 d, 3 d和扇出技术开始增加。[getentity id = " 22817 " e_name =“应用材料公司”)最近推出了一个儿童早期开发系统集成电路包装。此外,林研究、电话和其他增长但竞争激烈竞争ECD包装设备市场。ECD-sometimes称为pl……»阅读更多

与工厂循环次数
通过马克LaPedus2017年2月- 16(-评论:8

从平面设备转向finFETs使芯片制造商能够扩展他们的流程和设备从16 nm / 14 nm和超越,但每个节点的行业面临着几个挑战。成本和技术问题是显而易见的挑战。此外,循环时间关键但不公开的一部分chip-scaling方程还正在增加在每个转折点,为芯片制造商创造更多的焦虑和…»阅读更多

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