标签:棉酚场效应晶体管

CMOS的历史
通过保罗McLellan- 5月25日,2023 -评论:0

CMOS已经存在了大约50年以来,一个全面的历史书。这个博客关注我认为主要的过渡。之前NMOS CMOS, NMOS(也办公室,但我没有直接的经验)。NMOS门由一个网络之间的N-transistors输出和Vss,和一个电阻(实际上一个晶体管植入)之间的产出和…»阅读更多

减少EM / IR对集成电路设计可靠性和性能的影响
通过乔尔Mercier9月- 13,2022 -评论:0

Mercier乔尔和凯伦Chow继续推进技术和铸造过程节点,它变得更加难以设计和验证集成电路(ic)。挑战变得更加明显低于5 nm节点,随着行业远离鳍场效应晶体管(finFET)和gate-all-around场效应晶体管(GAAFET)技术。有很多问题…»阅读更多

定义& III-V垂直生长纳米线在一个较高的足迹密度Si平台上
通过技术论文链接——7月29日,2022 -评论:0

新技术论文题为“定向自组装密度垂直III-V门全面沉积在硅纳米线和影响”从瑞典隆德大学的研究人员发表。文摘:“制造下一代晶体管呼吁新的技术要求,如减少大小和密度的增加结构。发展具有成本效益的proc……»阅读更多

芯片在第三维度
通过Krishnan Shrinivasan- 6月16日,2022 -评论:0

每隔几个月,新的和改进的电子产品。他们通常较小,聪明,更快,有更多的带宽、功耗小,等等——所有由于新一代的先进芯片和处理器。我们的数字社会期待这种新设备的稳定滴,明天太阳会升起一样确定。在幕后,然而,工程师正在feve型……»阅读更多

半导体测试在大门周围的时代
通过里克•伯恩斯2022年5月- 10 -评论:0

过去的两年里目睹了空前的半导体行业的增长,推动人工智能的发展,自然语言处理,自动化工具,增强和虚拟现实。所有的这些应用程序依赖于半导体的发展来满足他们的需要巨大的计算处理和通信带宽t的意义……»阅读更多

精密选择性腐蚀和3 d之路
通过瓦希德Vahedi——3月17日,2022 -评论:0

缩放(微型设备的萎缩等芯片的晶体管和记忆细胞)从来都不是容易的,但是让下一代先进的逻辑和内存设备现实需要创造新的结构在原子尺度。使用这个小尺寸时,几乎没有变化。更加复杂的问题是一个需要删除材料各向同性的,或者,联合国…»阅读更多

精密选择性蚀刻工具为未来铺平道路技术拐点
通过蒂姆·阿切尔- 2月17日,2022 -评论:0

在过去的十年中,需要越来越小,密度更大,更强大的芯片一直在推动半导体制造商离开平面结构的日益复杂的三维(3 d)结构。为什么?简单地说,垂直叠加元素使更大的密度。使用3 d体系结构支持高级逻辑和内存应用程序代表了……»阅读更多

内部间隔工程改善机械稳定频道发布的版本的过程Nanosheet场效应晶体管
通过技术论文链接- 8月28日,2021 -评论:0

抽象的“机械应力是在制造过程中nanosheet场效应晶体管。特别是,不必要的机械不稳定源于重力在频道发布的版本被援助的详细介绍三维模拟。仿真结果显示暂停nanosheets的身体弱点和nanosheet厚度的影响。内部间隔工程基于geometr……»阅读更多

推进到3 nm节点和超越:技术,挑战和解决方案
通过迈克尔Hargrove8月19日,2021 -评论:0

似乎昨天finFETs被缩小设备比例限制的答案长度和所需的静电学门。finFETs开始在22 nm节点的引入,并一直持续到7 nm节点。除了7海里,它看起来像nanosheet设备结构将用于至少5 nm,可能3 nm节点。nanosheet设备结构brainc……»阅读更多

Angstrom-Level与afm测量
通过马克LaPedus8月19日,2021 -评论:0

竞争升温的原子力显微镜(AFM)市场,一些供应商航运新的AFM系统解决各种计量问题在包装、半导体等领域。AFM,一个规模虽小但增长领域,已在雷达下,包括一个独立的系统,提供表面测量结构到埃水平。(1埃= 0…»阅读更多

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