越来越不均匀3 nm / 2海里


一些芯片制造商和专业设计公司竞相开发流程和相互芯片在下次逻辑节点3和2 nm,但把这些技术应用到大规模生产被证明是昂贵和困难。也开始质疑仅仅需要这些新节点和为什么。迁移到下一个节点并提高性能……»阅读更多

FinFETs给Gate-All-Around


当他们第一次商业化22 nm节点,finFETs代表我们构建晶体管的方式的革命性变革,微型开关芯片的“大脑”。相比之前的平面晶体管,鳍,三面接触的大门,提供更好的控制通道的形成在鳍。但是,finFETs已经达到的效用为…»阅读更多

范式转换与垂直纳米线场效应晶体管为5 nm和超越


我在本科的时候不久以前,我所有的电路和半导体教科书/教授讨论mosfet(金属氧化物半导体场效应晶体管),只是比是“更好”(双极结型晶体管)。仍有一些老教授谈论他们是如何使用是一个很好的工作,但是每个人都知道这是MOSFET是领先的游戏我…»阅读更多

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