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减少EM / IR对集成电路设计可靠性和性能的影响


Mercier乔尔和凯伦Chow继续推进技术和铸造过程节点,它变得更加难以设计和验证集成电路(ic)。挑战变得更加明显低于5 nm节点,随着行业远离鳍场效应晶体管(finFET)和gate-all-around场效应晶体管(GAAFET)技术。有很多问题…»阅读更多

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