全能门结构要求在原子尺度上具有超高的选择性和精度。
在过去的十年里，对越来越小、密度越来越大、功能越来越强大的芯片的需求，促使半导体制造商从平面结构转向日益复杂的三维(3D)结构。为什么?简单地说，垂直堆叠元素可以实现更大的密度。
使用3D架构来支持高级逻辑和内存应用程序代表了半导体行业的下一个重大拐点。非易失性存储器率先实现了这一技术变革，Lam的蚀刻和沉积工具继续处于这一创新的前沿。芯片制造商目前正积极致力于在未来12-24个月内迁移到用于逻辑的GAA (gate all around)结构，并将目光投向3D DRAM。
今天，GAA被广泛认为是finFET在先进逻辑设备上的事实上的替代品，而且这种设计可以支持地球上最强大的下一代及以后的处理器。在这种改进的晶体管结构中，栅极从各个方面接触通道，以实现持续的缩放。GAA晶体管的载流能力通过垂直堆叠称为纳米片或纳米线的结构来提高，栅极材料包裹在通道周围。纳米片的尺寸可以缩放，这样晶体管就可以根据预期的应用进行调整。
GAA在概念上可能很简单，但这些器件对半导体制造提出了重大挑战。有些围绕着构造;其他项目则涉及实现规模化目标所需的新材料。主要的建造挑战是由于建造的复杂结构必须铺设各种层，并且某些元素(如SiGe)必须以原子级精度逐级移除。
为了迎接和应对这些挑战，我们认为早期的选择性蚀刻方法已经不够用了——需要新的工艺和能力来建造更密集、更高和更强大的结构。选择性一直是蚀刻工艺的一个重要属性，然而，创建先进的3D架构，可以为未来的数字技术和设备提供动力，需要超高的选择性和原子尺度上的精度来生产异常复杂的晶体管结构。
再一次，Lam一直在创新，为芯片行业在3D架构上实现下一个飞跃铺平了道路。我们与客户密切合作，创建了一套新的选择性蚀刻工具，可以支持下一代先进逻辑设备的开发，并很快支持3D DRAM等先进内存应用程序的开发。你可以了解更多在这里．
我们很自豪能够与我们的客户合作，引领3D变革，反过来，通过半导体技术的力量推动社会前进，创造一个更智能、更互联的世界。
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